一、阈上电离过程中光电子的角分布及其精细结构（论文文献综述）
周家米[1]（2020）在《气相水分子及二氧化碳的真空紫外光解动力学研究》文中指出本论文包括气相水分子的真空紫外光解动力学研究和二氧化碳的真空紫外光解动力学研究两部分工作。1、探究气相水分子态-态层次的光解动力学是彻底了解星际介质的化学过程和同位素不均匀性的基础。在本论文中使用了可调谐的真空紫外光源,结合高分辨的氢（氘）原子里德堡态标识的飞行时间谱技术,揭示了H2O和D2O分子被激发到?（010）态后解离的动力学特征。由于偶然共振影响的同位素不均匀性,H2O和D2O在?（010）态得到的H（D）和OH（OD）的响应光谱的分布情况均表现出明显的差异。这种偶然共振引起的态之间的混合可能导致了太阳系中D/H同位素的不均匀性。本研究为五种电子态下态-态间竞争导致的非绝热衰变途径提供了一个极好的例子。2、利用可调谐的真空紫外自由电子激光光源结合时间切片速度离子成像技术,探究了二氧化碳在3p1Пu里德堡态下的光解动力学。在107.37～108.84 nm光解波长下,得到了O（1S）+CO（X1Σ+）通道生成的O（1S）产物的原始图像。从振动分辨的O（1S）图像中,得到了产物的总动能以及CO（X1Σ+）产物的振动态分布。研究结果发现,振动激发的CO产物高至v=6或7,在v=1和v=4时达到峰值,且大多数单个的振动峰呈现双峰结构。此外,在探究波长下各振荡态的各向异性参数β也已确定。得到的β值表现出对光解波长依赖特性,观察到108.01和108.27 nm的β值比107.37和107.52 nm更大。在108.84 nm波长下,β值表现出各向同性。这些实验结果表明,在108 nm附近,被激发的二氧化碳分子非绝热过渡到41A′态,在41A′态上发生解离后产生了不同解离时间尺度的O（1S）+CO（X1Σ+）产物。
朱礼鹏[2]（2018）在《飞秒光激发石墨烯、二碲化钨的太赫兹发射光谱研究》文中提出高效、紧凑型太赫兹辐射源的开发顺应光电器件微型化和集成化的发展趋势,因此研究低维材料的太赫兹发射性能,进而寻找新型的太赫兹辐射源具有重要的研究意义。而二维材料可以有效降低器件尺寸,具有作为新型太赫兹辐射源的潜力。同时,飞秒光激发二维材料时,会在材料表面或界面产生皮秒和飞秒量级瞬态介电极化或者光电流,进而向外辐射太赫兹波,分析太赫兹波信号还可以反映光激发二维材料的超快光电响应。基于此,本文选择石墨烯和二碲化钨（WTe2）这两种金属性二维材料为研究对象,详细研究了飞秒光激发下两种样品的太赫兹发射光谱。一方面,研究飞秒光激发材料的太赫兹发射特性,为二维材料太赫兹辐射源的应用提供基础研究;另一方面,通过分析太赫兹发射的机理,研究光激发后金属性二维材料的光电响应。本论文的主要工作以及创新点如下:（1）太赫兹光谱系统的搭建。这部分从系统设计搭建以及系统的优化等方面展开,介绍了自主搭建的透射式太赫兹时域光谱、光学泵浦-太赫兹探测光谱和太赫兹发射光谱。另外,介绍了两种太赫兹偏振测量方法,并对比了两种方法的优势。这部分是后续工作的实验基础,同时为其他光谱系统搭建提供一定的参考作用。（2）石墨烯太赫兹辐射强度的增强。目前石墨烯作为太赫兹源所面临的最大难题是,如何增强光与石墨烯的相互作用,从而增强石墨烯的太赫兹辐射强度?基于这个问题,提出了用堆叠多层石墨烯和具有表面结构的直立生长石墨烯两种方法来增强太赫兹辐射的强度。实验观察到用线偏振飞秒激光激发两种样品时均可以增强石墨烯的太赫兹辐射强度,其中直立生长石墨烯太赫兹辐射强度是单层石墨烯的10倍。考虑到直立生长石墨烯制备简单,且太赫兹信号增强效果明显,因而更适合作为石墨烯太赫兹辐射源材料。进而系统研究了线偏振光激发直立生长石墨烯的太赫兹光谱,包括太赫兹强度与泵浦光光强、偏振角、入射角以及样品方位角变化的依赖关系。实验结果分析表明直立石墨烯辐射太赫兹波的物理机理是:线偏振光牵引效应引起的瞬态光电流向外辐射太赫兹波。基于线偏振光牵引效应的理论计算与实验结果能够很好的拟合,进一步证明辐射机理分析的正确性。这部分内容是首次提出不借助其他材料辅助,只利用石墨烯的直立生长结构增强太赫兹发射,这为石墨烯太赫兹源的应用提供了新思路。（3）直立石墨烯中光螺旋依赖的光电流引起的椭偏太赫兹发射。目前报道的关于飞秒光激发石墨烯产生太赫兹波的研究仅仅涉及线偏振光激发,并未考虑其他偏振光激发时的光电流响应和太赫兹辐射性能。基于这方面考虑,用四分之一波片改变泵浦光偏振态,研究了直立石墨烯中泵浦光螺旋依赖的光电流响应以及太赫兹辐射的偏振特性。通过对光电流强度和四分之一波片偏振角依赖关系的拟合,得到了线偏振和圆偏振光牵引效应对太赫兹辐射中所占的比列。另外,通过对线偏振和圆偏振飞秒光激发下的太赫兹偏振分析合成发现,线偏振光激发出线偏振太赫兹辐射,椭圆或圆偏振激发出椭圆偏振太赫兹辐射,且椭圆偏振太赫兹波的螺旋方向和飞秒光的螺旋方向一致。这些结果表明直立石墨烯不仅可以作为偏振敏感光探测器,还可以作为偏振可控的太赫兹波辐射源,尤其是椭圆偏振太赫兹辐射在手性材料分析领域具有很大的应用前景。（4）二碲化钨的太赫兹发射光谱。和石墨烯一样,过渡金属硫族化合物WTe2也是金属性材料,具有较大的光电导响应,光激发WTe2后很容易产生超快弛豫过程等性质。所以理论上飞秒光激发金属性WTe2时会向外辐射太赫兹波。因此,分别研究了线偏振和椭圆偏振飞秒光激发50 nm厚WTe2材料的太赫兹发射光谱。实验结果表明:WTe2的太赫兹辐射是各项同性的;且随泵浦光功率的增加太赫兹强度会出现饱和趋势;从基底面和样品面激发样品时,太赫兹时域信号未出现极性反转,表明辐射过程没有波矢依赖性。综合分析光激发WTe2的太赫兹辐射机理是:由光致电流效应主导的超快光电流向外辐射太赫兹。相同条件下,对比低功率（5 m W）激发半绝缘Ga As（110）和WTe2,WTe2的太赫兹辐射强度是Ga As的2倍,说明WTe2相较Ga As具有更高的能量转换效率。同时,还研究了太赫兹强度随线偏振光和椭圆偏振光偏振角的关系,通过线偏振和圆偏振光致电流效应理论可以很好拟合实验结果,表明机理分析是合理的。另外,对WTe2辐射的太赫兹偏振态分析显示:无论是线偏振还是圆偏振光激发,太赫兹偏振态始终是线偏振。该部分内容是首次系统研究光激发WTe2的太赫兹波发射谱,证明了WTe2作为太赫兹辐射源材料的可能性,而且WTe2的光致电流效应为研究其光激发响应提供了理论分析基础。
刘洋[3]（2018）在《飞秒光场中溴丙烯分子电离解离过程的研究》文中研究表明在过去的三十年中,随着超快激光技术的飞速发展,人们可以在飞秒甚至阿秒时间尺度观测光与分子的相互作用过程。众多的研究者从理论和实验两个方面探究了一系列新现象和新效应,如:高次谐波产生、多光子电离、电离解离以及库伦爆炸等。为了精确地探究分子在光场中的反应动力学过程,人们发展了一系列的探测技术,如:飞行时间质谱技术、离子速度影像技术、三维离子切片成像技术以及三维离子符合测量技术等。随着上述离子探测技术的发展,人们已经能够在阿秒时间尺度、皮米空间尺度分析分子体系在飞秒光场中的电离、解离和库伦爆炸过程。由于卤代烷烃分子在大气物理化学问题中扮演着重要角色,卤代烷烃分子与光场的相互作用过程一直是人们关注的焦点。在本文中,我们利用自行搭建的三维离子切片成像谱仪研究了溴丙烯分子在800nm和400nm飞秒光场中的电离、解离以及库仑爆炸过程。具体内容如下:（1）利用飞行时间质谱技术研究了溴丙烯分子在800 nm和400 nm飞秒强激光场下的反应过程。结合量子化学计算,分析了不同功率下各离子的产率,讨论了分子沿C-Br和C-C的解离过程,研究了强场激光下溴丙烯分子多光子电离解离机制。（2）利用直流切片离子成像技术研究了溴丙烯分子在800 nm和400 nm飞秒激光非共振激发下的解离和库仑爆炸过程。实验获得了相关碎片离子的切片图像,分析了各离子的动能分布,对高动能碎片离子的来源通道进行了归属。
陈孝林[4]（2018）在《若干过渡族元素电子亲和势的精密测量》文中研究指明负离子通常是通过复杂的电子-电子关联效应使得一个额外的电子束缚在一个中性的体系上而形成的。与中性或者正离子中电子被库仑势束缚不同,负离子中的额外电子是由短程势束缚的,其强度比库仑势衰减得更快。这种短程势的作用使得负离子只能形成很少的束缚态,典型的是只能形成基态或是几个能量最低的精细结构。由于这种新奇的结构,负离子在电子关联效应的实验和理论研究中一直受到人们的重视。电子亲和势（Electron Affinity）作为原子与分子的一个基本参数,在天体物理、等离子物理和气相离子化学等领域扮演着重要的角色。尽管过去40多年来,主族元素电子亲和势的测量精度已逐渐增至0.01-0.05 meV,但大量过渡族元素EA值的不确定性仍保持在10 meV左右,甚至很多镧系元素的EA值是未知的,这主要是由于过渡族元素负离子光脱附的p波散射截面很小,以及过渡族元素的电子结构非常复杂,相对论效应很显着导致的。本工作采用慢电子速度成像法测量过渡族元素电子亲和势。和阈值光脱附法相比,该方法在阈值附近即光电子动能很小时仍具有较高的计数率,同时具有非常高的能量分辨率,测量精度通常好于0.1 meV。这是首次将该方法运用于原子电子亲和势及其负离子精细结构的测量,得到了六种元素的电子亲和势及其负离子的精细结构。实验结果为铌（Nb）的电子亲和势为7399.35（50）cm-1,铁（Fe）的电子亲和势为1235.93（28）cm-1,钴（Co）的电子亲和势为5341.45（37）cm-1,铅（Pb,同位素质量m=208）的电子亲和势为2877.33（13）cm-1,铼（Re）的电子亲和势为487.13（51）cm-1,钽（Ta）的电子亲和势为2652.25（47）cm-1。其中,Nb,Fe,208Pb和Ta的EA值结果较之前的实验测量精度提高了两个数量级,并首次在实验上获得了Re的电子亲和势和Nb,Fe,Co,Ta负离子的精细结构劈裂,同时还首次在实验中测量了Hf的电子亲和势为1733（72）cm-1。本工作获取的精确的电子亲和势值及负离子的精细结构为今后发展新的理论计算方法提供了检验的标准。由于热展宽常温下分子光电子谱的分辨率较差,约10 meV。结合低温离子阱技术,利用慢电子速度成像方法可以很好地分辨分子离子的电子结构和振动结构,进而确定中性分子的结构。本工作测得了CoO-和TaO-的光电子能谱。低温离子阱技术和慢电子速度成像方法的结合是未来研究复杂体系强有力的工具。
王敏[5]（2018）在《钼酸盐晶体和熔体结构的原位高温拉曼光谱与第一性原理计算模拟研究》文中研究表明通过实时观测晶体熔融状态和结晶过程的微观结构及其变化,认识晶体生长的结晶过程的微观机制是获得或发现晶体生长规律的基础,对优化及新型功能材料的设计具有重大的科学意义。钼酸盐材料具有一系列独特的物理化学性能,并在许多先进的科技领域具有广泛的应用,但目前对其高温熔体结构的研究还处于碱金属钼酸盐系列的初期定性阶段,熔体的结构基元、团簇结构的存在形式、结构单元的定量表征以及与熔体宏观物性的关系等问题都有待深入研究。因此,本文以原位高温拉曼光谱与第一性原理模拟计算相结合,对碱金属钼酸盐功能晶体及其熔体开展相关基础和应用研究,并进一步向过渡及稀土掺杂钼酸盐体系深入,探索其熔体结构基元及存在形式,并试图建立熔体结构单元与熔体宏观物性的关系。主要研究内容如下:研究了碱金属钼酸盐K2MonO3n+1（n=1,2,3）系列化合物熔体中Mo6+离子的配位结构及其与晶体中结构状态的相关性、团簇结构的存在形式。Mo6+几乎高丰度地呈现四配位的形态,并且随着碱度的降低,熔体结构基元由单体向二聚体、三聚体变化。详细讨论了由晶体升温至熔融过程中化学键的变化及断裂情况,揭示了K2MonO3n+1（n=1,2,3）晶体在熔化过程中的微结构演变机制。对二元碱金属多钼酸盐（1-x）K2MoO4-xMoO3（x=0,19,39,50,67,75,83,87.5 mol%）系列的熔体结构进行了定性研究和定量表征。提出了熔体中所有可能的结构单元Qijklm和Hijklmno种类,并确认了[MoO6]6-阴离子基团的存在,熔体结构呈现出多种结构基元共存的特征。另外,通过量子化学从头计算确定了熔体中不同结构单元2H11,Q0,Q11,Q12,Q211,Q212的拉曼散射截面,对这些结构单元进行拉曼定量分析,并将熔体微结构单元的定量结果与二元系碱金属钼酸盐熔体的高温粘度及密度等已有的研究结果建立相关性,从而验证熔体结构单元解析及定量表征的合理性。对碱金属和简单三价Al3+阳离子共存的三元系钼酸盐KAl（MoO4）2晶体、玻璃和熔体进行原位高温拉曼和27Al魔角旋转核磁共振波谱的研究,分析结晶和淬冷态KAl（MoO4）2的结构转变及Al3+的配位状态。揭示了K+效应,即从晶体中的有序排列到熔体中的均匀随机分布,对Al3+局部化学环境的影响。深入讨论了具有不同热历史的KAl（MoO4）2玻璃样品所含的不同配位Al3+的定量分布。结果表明,Al3+主要以[AlO6]9-的形式存在于其玻璃和熔体中,四面体配位的Al3+在本文的淬火条件下约占2.7%。该研究为进一步深入探究过渡及稀土阳离子掺杂的三元系钼酸盐MRE（MoO4）2（M=碱金属,RE=Y,Bi,Ln）化合物中三价阳离子在晶体和熔体中的作用等提供了研究途径。研究了过渡及稀土阳离子掺杂的三元系二钼酸盐MRE（MoO4）2（M=Li,K;RE=Y,Gd,Bi,Eu）晶体及熔体的拉曼光谱,观察并归纳总结光谱的特征及变化规律,探讨阳离子的离子尺寸、电荷、电负性、质量等阳离子效应的影响并进行相关分析。上述研究的开展,不仅为进一步理解钼酸盐晶体向熔体转变过程中微结构演变规律,深刻认识熔体行为本质提供有效的实验和理论基础,而且为极端条件下相关材料结构和性能的预测提供实验依据,同时为相关功能晶体材料的制备优化及设计开发,并进一步为优质晶体生长工艺和技术的改进提供参考和理论指导,具有重要的理论与实际意义。
谭潇刚[6]（2017）在《掺杂二氧化钒相变机敏材料的X射线吸收精细结构研究》文中研究表明在21世纪科学发现与技术创新迅猛发展的时代背景下,新智能材料、微纳米、生物医药等高新技术之间的融合日益深化。和世界主要制造业先进国家和地区一样,我国已经实施"中国制造2025"规划,大力推进智能材料等多个新兴前沿领域的创新和产业化。所谓"智能材料",是指能够有效感知其内外环境的刺激信号,并对信号进行分析处理,进而执行合适响应的具有智能特性的一类材料。机敏材料作为智能材料的必要组成单元,担负其中感知信号和执行响应的功能。常见的机敏材料包括形状记忆材料、压电材料、电致/热致变色材料、磁致伸缩材料、电流/磁流变体材料和光纤材料等。本论文工作的主要研究对象VO2，因其具有室温附近（T-c=68℃）的可逆循环的热致变色相变性能,能够对红外波长的光实现"通过-阻隔"调控,被视为一种良好的有"智能窗"应用前景的机敏材料,长期以来受到广泛的关注和研究。同步辐射光源具有高亮度、宽波段、偏振性、能量精确可控等诸多独特的优良性能,近年来已经发展成为众多基础学科和应用学科难以替代的先进研究手段之一。同步辐射XAFS技术能够对物质中原子和电子的短程局域结构进行精细反映,适用于大部分凝聚态系统的研究。同时,配合原位技术和时间分辨技术,可以实现对微观结构和短暂变化的精确测量。因此原位和时间分辨XAFS技术非常适合于相变机敏材料的结构和机理研究。本论文主要利用原位同步辐射XAFS技术对钒氧化物的相变温度调控机理开展了系统深入的研究,论文主要包括以下内容:1.钨掺杂二氧化钒的结构和相变温度调控机理的研究通过溶剂热法合成了不同掺杂浓度的W掺杂VO2系列样品。基于一系列基本表征包括ICP-AES、XRD和DSC,选定4个W掺杂VO2样品（掺杂浓度分别为0.54%、0.95%、1.45%和2.38%）对其进行常温XAFS测量和分析,并基于适合的结构模型进行拟合,得到基底V原子和掺杂W原子的近邻结构数据。由此得到结论,掺杂浓度为0.54%、0.95%的样品在常温下为M相结构,掺杂浓度为1.45%和2.38%的样品在常温下已经转变为R相结构。进一步根据拟合数据构建了掺杂W原子的近邻结构模型,结合模型分析得出,掺杂W原子的近邻结构具有与四方R相VO2类似的更高的对称性,在W-VO2体系的结构演变中发挥驱动力的作用。2.钨掺杂二氧化钒的原位变温XAFS研究建立变温原位XAFS装置,对W掺杂VO2系列样品进行原位XAFS测试。基于常温条件下对W掺杂VO2系列样品的结构分析结果,对4个W掺杂VO2的V-K边的变温XAFS测试结果进行数据处理和分析,并结合DFT方法理论计算提供的电子结构信息,对W掺杂VO2的温致相变过程机理进行阐释:掺杂的W原子局域结构在VO2中保持一种接近四方R相高对称性,影响近邻的第1到2个壳层V原子从而形成高对称性的相变核,并以一种"成核-扩散"的机制作用于VO2整体的相变行为;W原子"成核"具有金属性,进而对W掺杂VO2体系的电子结构产生影响。3.铬掺杂二氧化钒的原位变温XAFS研究通过溶剂热法合成了掺杂浓度分别为3.5%和5%的两个Cr掺杂VO2样品,对其进行XRD、DSC和原位变温XAFS测试。Cr掺杂VO2具有正交O相对称性,其相变温度随掺杂浓度增大而提高。对XAFS数据进行处理,以合适的结构模型进行拟合得到Cr掺杂VO2样品的物相结构信息。深入分析并对Cr掺杂VO2的温致相变过程机理进行阐释:认为Cr掺杂VO2的正交O相比M相在高温下结构稳定性更高,因此提高了相变温度;相变过程呈现出"O相→晶格膨胀/原对称性解体→晶格收缩/新对称性重构4R相"的过程,在此过程中原有的V-V "成对"的结构单元被打破,最终形成了更加稳定的四方R相结构。
项文君[7]（2012）在《空洞原子双自电离过程的研究》文中研究说明随着自由电子激光技术的不断发展，自由电子激光器能产生飞秒量级高强度的硬X射线脉冲。硬X射线与原子相互作用，原子的内壳层电子将被电离或者激发。因此涉及到原子的内壳层的原子过程是人们非常关心的课题。硬X射线与物质相互作用将产生非局域热动平衡等离子体，双自电离过程对于非局域热动平衡等离子体的粒子布局、电荷态的动力学演化及其光学性质有着非常重要的影响。因此双自电离过程对研究强激光与物质相互作用有着非常迫切的需要。目前大家普遍承认，非顺序（直接）双自电离过程有shake-off和knock-out两种物理机制，这两种机制可以分解为两步过程，第一步都为单自电离过程。本文首先研究空洞态的单自电离过程，以锗等核序列为例，对Ge5+-Ge21+离子的2p空洞态的自发衰变速率和自电离宽度进行了系统研究，利用这些结果研究了自电离共振宽度对L壳层吸收谱的影响，在目前典型的实验条件下，自电离共振展宽为谱线的主要展宽机制。采用了大规模组态相互作用的方法，计算了Ne等核序列的1s单空洞态和Ar+2p单空洞态的非顺序双自电离速率。计算结果表明Ne+1s2s22p6双自电离的发生几率为5.67%，与实验结果5.66%和5.97±0.16%非常的接近，优于前人理论计算的结果5.39%和4.0%。对于Ne等核序列，随着电荷态的升高双自电离的速率和几率下降的非常快，速率从Ne+的1013s1下降到Ne6+的1011s1，几率从Ne+的5.67%下降到Ne6+的0.14%。 Ar+2p53s23p6双自电离的几率为13.8%，与实验结果13.2±2%符合很好，优于前人的理论结果0.8%。Ar+2p53s23p6自电离态以66.2%的概率通过中间态2p63s23p4双自电离到2p63s23p3。对电离后的俄歇电子谱进行了模拟，与实验能够很好的吻合。对Ne的1s单空洞态和Ar的2p单空洞态，knock-out为主要的双自电离机制，shake-off对双自电离几率的贡献小于1%。
刘利锋[8]（2012）在《等离子体X射线球面弯曲晶体成像关键技术研究》文中研究说明惯性约束聚变（Inertial Confinement Fusion,ICF）可以提供取之不尽、用之不竭无污染的清洁能源，其内爆过程中某些物理现象与氢弹内爆及天体物理过程很相似。所以，研究ICF对我国能源的可持续发展、国防安全和天体物理研究等具有重要的意义。物理实验和诊断是目前ICF研究中非常重要的内容。由于现阶段ICF研究中存在理论分析和数值模拟不完善、制靶技术和工艺不理想、高功率激光器输出功率有限等问题，发展ICF的诊断技术对完善ICF研究具有重要的科学意义和突出的现实意义。以球面弯曲晶体为核心元件的成像系统，可以得到ICF内爆过程中高温等离子体X射线能谱信息，从而可以揭示靶等离子体的特征和行为，深入了解激光束能量吸收机制，进而为驱动器与靶丸的最佳耦合设计提供依据。球面弯曲晶体成像系统也可以得到靶丸内爆单色X射线二维空间分辨信息，评估激光辐射驱动的对称性和均匀性，分析内爆靶丸推进层的运动过程，建立ICF辐射驱动的相关理论模型。在国家自然科学基金项目（NSAF, No.10976033）的资助下，对球面弯曲晶体成像系统进行了较深入的研究，在国内率先研制了应用于ICF装置的球面弯曲晶体成像系统，在ICF装置上进行了等离子体X射线能谱成像和单色X射线背光成像诊断实验。本文的主要研究工作包括：1)根据X射线布拉格衍射和罗兰圆结构理论，对约翰光谱成像仪进行了理论分析。在约翰光谱成像仪的基础上，进一步研究了球面弯曲晶体成像的基本理论。分析了球面弯曲晶体近正入射成像结构和非正入射成像结构的背光成像原理和性质。基于晶体X射线衍射理论，根据弯曲晶体的布拉格角偏差原理，推导并分析了光源在罗兰圆上和不在罗兰圆上两种情况球面弯曲晶体的反射能量与成像系统参数间的关系。为球面弯曲晶体成像研究提供理论基础。2)利用光线追踪软件SHADOW建立了球面弯曲晶体成像模拟平台。对球面弯曲晶体非正入射成像结构的背光成像进行了模拟研究，验证非正入射成像结构背光成像的可行性。进一步研究了实验参量变化对系统成像质量和性能的影响，为球面弯曲晶体非正入射成像结构的实际应用提供参考和理论依据。3)研制了应用于ICF装置的球面弯曲晶体成像系统，分析了系统核心器件X射线源、球面弯曲晶体和探测器的性能特性。利用X射线衰减理论，研究了探测器滤光膜的透过率，并对Al，Be，Ti膜的透过率进行了分析比较。最后，针对神光III原型和Z箍缩等装置中成像系统探测器有效探测面积的大小，提出了两种实用可行的光路调准对中技术。4)利用球面弯曲晶体成像系统进行了X射线能谱成像实验。石英球面弯曲晶体成像系统得到的能谱分辨率（λ/Δλ）为1027，满足X射线能谱诊断的要求。在中国工程物理研究院“阳”加速器装置上利用该成像系统进行等离子体X射线能谱诊断实验，诊断结果表明成像系统的能谱分辨率（λ/Δλ）为1092，与能谱分辨率理论模型所得到的能谱分辨率基本吻合。5)搭建了球面弯曲晶体背光成像系统，进行了单色X射线背光成像实验。当X射线管的焦斑尺寸为500μm时，石英和云母球面弯曲晶体成像系统得到的空间分辨率分别为83μm和86μm，实验结果表明石英和云母球面弯曲晶体可用于X射线的背光成像诊断。在神光III原型装置上利用石英球面弯曲晶体近正入射结构进行了背光成像实验，激光束的聚焦焦斑尺寸为200μm，成像系统得到空间分辨率为5μm。在“阳”加速器装置上利用石英球面弯曲晶体非正入射结构进行了背光成像实验，得到空间分辨率为75μm。
黄长浩[9]（2008）在《高效率高分辨闪烁型中子成像技术的研究》文中研究表明中子成相随着中子源技术的改进和发展也正发生着日新月异的变化,传统的中子成相方法已经不能满足当今中子成相应用的要求,各种新的方法应运而生。论文描述了在传统中子成相技术的基础上,通过改进试验方案,利用更先进的图像数据采集系统和更好的材料,以提高中子成相的探测效率、位置分辨率为目的进行试验的可行性。论文详细介绍了以多阳极光电倍增管为核心的中子成相系统,以64块锂玻璃为闪烁主体,利用权重分析的方法,通过DPC （Distributed version of a single-wire Position-sensitive proportional Counter readout）电桥将64路信号转换为4路信号输出,以四路信号符合为门信号,通过CAMAC（Computer Automated Measurement And Control）系统采集四路信号ADC转换后的数据,利用计算机,离线对数据进行分析和图像还原。试验中多阳极光电倍增管采用HAMAMATSU公司生产的MAPMT H8500C ,中子源为252Cf。试验结果表明,在这种方法下,中子成相的探测效率有明显的提高,可达90%以上,探测频率可以达1Mhz,最小位置分辨也可达到3mm,符合实验的预期目标。
张敬涛,郭东升,张文琦,徐至展[10]（2002）在《阈上电离过程中光电子的角分布及其精细结构》文中提出
二、阈上电离过程中光电子的角分布及其精细结构（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、阈上电离过程中光电子的角分布及其精细结构（论文提纲范文）
（1）气相水分子及二氧化碳的真空紫外光解动力学研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 引言 |
| 1.1 光解动力学 |
| 1.2 光解的分类 |
| 1.3 光解动力学的基本理论 |
| 1.4 论文选题 |
| 第二章 光解动力学实验的研究方法 |
| 2.1 氢原子德堡态标记飞行时间谱实验装置 |
| 2.1.1 氢原子里德堡态飞行时间质谱技术的原理 |
| 2.1.2 真空系统 |
| 2.1.3 激光系统 |
| 2.1.4 探测系统 |
| 2.1.5 仪器的能量分辨率 |
| 2.2 离子速度成像实验装置 |
| 2.2.1 离子速度成像的发展和原理 |
| 2.2.2 真空系统 |
| 2.2.3 激光系统 |
| 2.2.4 探测系统 |
| 2.2.5 探测器定标实验——氧分子的多光子电离解离 |
| 第三章 气相水分子的(?)(010)态光解动力学研究 |
| 3.1 水的研究现状 |
| 3.1.1 H_2O的(?)态的光解研究 |
| 3.1.2 H_2O的(?)态的光解研究 |
| 3.1.3 H_2O的(?)态的光解研究 |
| 3.1.4 H_2O的(?)态的光解研究 |
| 3.2 研究背景 |
| 3.3 实验方法 |
| 3.4 D_2O样品制备 |
| 3.5 实验结果 |
| 3.6 讨论 |
| 3.7 小结 |
| 第四章 二氧化碳在108nm附近的态-态光解动力学:O(~1S)通道 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 自由电子激光 |
| 4.3 实验方法 |
| 4.4 实验结果 |
| 4.5 讨论 |
| 4.6 小结 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（2）飞秒光激发石墨烯、二碲化钨的太赫兹发射光谱研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 石墨烯和二碲化钨的光电性质简介 |
| 1.1.1 石墨烯的光电性质 |
| 1.1.2 二碲化钨的光电性质 |
| 1.2 太赫兹波简介 |
| 1.2.1 太赫兹波的产生和探测 |
| 1.2.2 太赫兹光谱技术 |
| 1.3 石墨烯在太赫兹波段的研究现状 |
| 1.3.1 石墨烯太赫兹波探测器件 |
| 1.3.2 石墨烯太赫兹波调控器件 |
| 1.3.3 石墨烯太赫兹波发射器件 |
| 1.4 二碲化钨光学波段的研究现状 |
| 1.5 本文选题的目的和意义 |
| 第二章 太赫兹光谱系统的搭建 |
| 2.1 系统设计 |
| 2.2 系统优化 |
| 2.2.1 探测晶体的优化 |
| 2.2.2 产生部分的优化 |
| 2.2.3 太赫兹偏振测量 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 非线性光电流效应的理论计算研究 |
| 3.1 光电流效应 |
| 3.2 石墨烯的光牵引电流密度的计算 |
| 3.3 太赫兹发射光谱探测瞬态光电流 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 石墨烯太赫兹波发射的增强 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备与表征 |
| 4.2.1 堆叠石墨烯的制备与表征 |
| 4.2.2 直立石墨烯的制备与表征 |
| 4.3 太赫兹发射性能及分析 |
| 4.3.1 实验装置简介 |
| 4.3.2 堆叠石墨烯的太赫兹发射性能及分析 |
| 4.3.3 直立石墨烯的太赫兹发射性能及分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 直立石墨烯中光螺旋依赖的光电流引起的椭偏太赫兹辐射 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品表征 |
| 5.3 实验装置 |
| 5.4 太赫兹发射性能及分析 |
| 5.4.1 透射系统的太赫兹发射光谱及分析 |
| 5.4.2 反射系统的太赫兹发射光谱及分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 层状二碲化钨的太赫兹发射光谱 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 二碲化钨的制备与表征 |
| 6.3 二碲化钨的太赫兹发射性能分析 |
| 6.3.1 透射系统太赫兹发射谱及分析 |
| 6.3.2 反射系统太赫兹发射谱及分析 |
| 6.4 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间取得的科研成果 |
| 作者简介 |
（3）飞秒光场中溴丙烯分子电离解离过程的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 飞秒激光技术的发展及应用 |
| 1.2 超快动力学研究背景及意义 |
| 1.3 超快动力学分子反应的物理机制 |
| 1.3.1 飞秒光场中的电离机制 |
| 1.3.2 飞秒光场中的解离机制 |
| 1.4 本文主要研究工作 |
| 第二章 离子探测技术 |
| 2.1 一维探测 |
| 2.2 二维探测 |
| 2.3 三维切片离子成像技术 |
| 第三章 实验装置及数据处理方法 |
| 3.1 三维离子切片成像系统 |
| 3.1.1 飞秒激光系统 |
| 3.1.2 真空系统 |
| 3.1.3 分子束进样系统 |
| 3.1.4 离子透镜系统 |
| 3.1.5 探测器系统 |
| 3.1.6 时序控制系统 |
| 3.2 系统的校准 |
| 3.2.1 光场强度的标定 |
| 3.2.2 离子透镜缩放系数 |
| 3.3 离子切片图像处理 |
| 3.4 离子飞行时间质谱处理 |
| 第四章 溴丙烯强场飞秒激光中的解离电离 |
| 4.1 实验意义 |
| 4.2 实验结果 |
| 4.2.1 飞行时间质谱 |
| 4.2.2 离子切片 |
| 4.3 实验分析与讨论 |
| 4.3.1 一价母体离子的多光子电离解离 |
| 4.3.2 二价母体离子的库伦爆炸 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
（4）若干过渡族元素电子亲和势的精密测量（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 电子亲和势的定义 |
| 1.2 理论研究历史 |
| 1.3 实验研究历史 |
| 1.4 本论文工作的主要内容及意义 |
| 第2章 基本原理 |
| 2.1 负离子光脱附散射截面 |
| 2.2 跃迁强度和选择定则 |
| 2.3 光电子角分布 |
| 第3章 实验方法 |
| 3.1 激光光脱附电子谱LPES方法 |
| 3.2 激光光脱附阈值LPT方法 |
| 3.3 激光光脱附显微镜LPM方法 |
| 3.4 慢电子速度成像SEVI方法 |
| 3.4.1 SEVI的发展历史 |
| 3.4.2 SEVI的基本原理 |
| 第4章 实验装置 |
| 4.1 源室 |
| 4.2 飞行室 |
| 4.2.1 飞行时间质谱的发展历史 |
| 4.2.2 Wiley-Mclaren飞行时间质谱 |
| 4.2.3 质谱分辨率 |
| 4.2.4 质量选择 |
| 4.3 探测室 |
| 4.3.1 染料激光系统 |
| 4.3.2 电子/离子透镜和探测系统 |
| 第5章 铌铁钴铼铅电子亲和势的精密测量 |
| 5.1 铌(Nb)元素电子亲和势的测定 |
| 5.1.1 实验方法 |
| 5.1.2 理论计算 |
| 5.1.3 实验结果 |
| 5.1.4 结束语 |
| 5.2 铁(Fe)元素电子亲和势的测定 |
| 5.2.1 实验与计算方法 |
| 5.2.2 实验结果 |
| 5.2.3 结束语 |
| 5.3 钴(Co)元素电子亲和势的测定 |
| 5.3.1 实验与计算方法 |
| 5.3.2 实验结果 |
| 5.3.3 结束语 |
| 5.4 铼(Re)元素电子亲和势的测定 |
| 5.4.1 实验方法 |
| 5.4.2 实验结果 |
| 5.4.3 结束语 |
| 5.5 铅(Pb)元素电子亲和势的测定 |
| 5.5.1 实验与计算方法 |
| 5.5.2 实验结果 |
| 5.5.3 结束语 |
| 第6章 低温离子阱结合慢电子速度成像 |
| 6.1 线性八级杆低温离子阱 |
| 6.1.1 实验装置简介 |
| 6.1.2 定标系数的确定 |
| 6.1.3 低温离子阱结合慢电子速度成像的测试 |
| 6.2 钽(Ta)元素电子亲和势的测定 |
| 6.2.1 实验方法 |
| 6.2.2 实验结果 |
| 6.2.3 结束语 |
| 6.3 铪(Hf)元素电子亲和势的测定 |
| 6.3.1 实验方法 |
| 6.3.2 实验结果 |
| 6.3.3 结束语 |
| 6.4 TaO双原子分子的电子结构 |
| 6.4.1 理论计算 |
| 6.4.2 实验结果 |
| 6.4.3 结束语 |
| 第7章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录A TOF加速电场模拟与设计 |
| A.1 电极TOF.GEM文件 |
| A.2 程序控制TOF.lua文件 |
| A.3 对I~-的TOF模拟结果 |
| 附录B 质量门高压脉冲电路图 |
| 附录C 数据采集Labview程序框图 |
| 附录D VMI成像装置GEM文件 |
| 附录E D_(2h)、C_(2v)点群不可约表示 |
| 附录F 理论计算输入文件(部分) |
| F.1 Nb/Nb~-基态计算及Nb~-(~5D)SO输入文件 |
| F.2 Pb/Pb~-MRCISO计算输入文件 |
| F.3 TaO计算输入文件 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（5）钼酸盐晶体和熔体结构的原位高温拉曼光谱与第一性原理计算模拟研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题来源 |
| 1.2 课题研究的目的和意义 |
| 1.3 钼酸盐的研究概况 |
| 1.3.1 钼酸盐的性质及其结构 |
| 1.3.2 国内外研究概况 |
| 1.4 本研究组的研究基础和实验条件 |
| 1.5 本论文的研究内容及意义 |
| 第二章 钼酸盐研究方法概述 |
| 2.1 钼酸盐微结构研究方法简介 |
| 2.2 实验研究方法 |
| 2.2.1 X射线衍射技术 |
| 2.2.2 固体核磁共振波谱技术 |
| 2.2.3 拉曼散射及高温拉曼光谱技术 |
| 2.3 结构计算和模拟方法 |
| 2.3.1 从头计算方法 |
| 2.3.2 密度泛函理论计算方法 |
| 2.3.3 半经验计算方法 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 K_2Mo_nO_(3n+1)(n=1,2,3)晶体和熔体结构的拉曼光谱与理论模拟计算.. |
| 3.1 概述 |
| 3.2 K_2Mo_nO_(3n+1)(n=1,2,3)晶体的制备及分析表征 |
| 3.2.1 样品制备 |
| 3.2.2 ICP化学分析 |
| 3.2.3 XRD表征分析 |
| 3.2.4 DSC热分析 |
| 3.3 K_2Mo_nO_(3n+1)(n=1,2,3)晶体的常温拉曼光谱与密度泛函理论计算 |
| 3.3.1 收敛性测试与计算参数选择 |
| 3.3.2 实验与计算拉曼光谱及振动模式分析 |
| 3.4 K_2Mo_nO_(3n+1)(n=1,2,3)的原位高温拉曼光谱 |
| 3.4.1K_2MoO_4 |
| 3.4.2K_2Mo_2O_7 |
| 3.4.3K_2Mo_3O_(10) |
| 3.5 K_2Mo_nO_(3n+1)(n=1,2,3)熔体中团簇基元的量子化学从头计算 |
| 3.5.1 多分子效应 |
| 3.5.2 计算结果及分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 二元系K_2MoO_4-MoO_3熔体结构的定量分析及其与物性的关系 |
| 4.1 概述 |
| 4.2 样品的制备 |
| 4.3 高温熔体结构基元的确定 |
| 4.4 (1-x)K_2MoO_(4-x)MoO_3(x=0,19,39,50,67,75,83,87.5mol%)熔体的拉曼光谱 |
| 4.5 高温熔体结构单元的定量分析研究 |
| 4.5.1 定量分析 |
| 4.5.2 与熔体粘度的关系 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 二钼酸盐KAl(MoO_4)_2晶体、玻璃及熔体结构的原位拉曼光谱及27Al固态核磁共振波谱研究 |
| 5.1 概述 |
| 5.1.1 实验过程 |
| 5.1.2 XRD分析表征 |
| 5.2 KAl(MoO_4)_2晶体的常温及计算拉曼光谱 |
| 5.3 KAl(MoO_4)_2晶体及玻璃的原位高温拉曼光谱 |
| 5.3.1 KAl(MoO_4)_2晶体 |
| 5.3.2 KAl(MoO_4)_2玻璃 |
| 5.3.3 KAl(MoO_4)_2玻璃与熔体的拉曼光谱 |
| 5.4 KAl(MoO_4)_2晶体及玻璃的~(27)AlMASNMR研究 |
| 5.4.1 ~(27)AlNMR波谱 |
| 5.4.2 不同制备条件下KAl(MoO_4)_2样品的Al_(3+)配位与化学环境 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 过渡及稀土离子掺杂型二钼酸盐功能晶体的拉曼研究 |
| 6.1 概述 |
| 6.2 实验样品及制备 |
| 6.3 结果及分析 |
| 6.3.1 MRE(MoO_4)_2的XRD表征分析 |
| 6.3.2 MRE(MoO_4)_2(M=Li,K;RE=Y,Gd,Bi,Eu)的高温拉曼光谱 |
| 6.3.3 MRE(MoO_4)_2(M=Li,K;RE=Y,Bi,Gd,Eu)的常温拉曼光谱及影响因素 |
| 6.3.4 MRE(MoO_4)_2(M=Li,K;RE=Y,Bi,Gd,Eu)与部分RE_2(MoO_4)_3(RE=Bi,Gd)的熔体拉曼光谱 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 主要结论与有待进一步研究的工作 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 主要创新点 |
| 7.3 有待进一步研究的工作 |
| 参考文献 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 |
| 作者在攻读博士学位期间所作的项目 |
| 致谢 |
（6）掺杂二氧化钒相变机敏材料的X射线吸收精细结构研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 智能材料和机敏材料 |
| 1.2.1 智能材料的概念 |
| 1.2.2 常见的机敏材料 |
| 1.3 同步辐射X射线吸收精细结构(XAFS)技术 |
| 1.3.1 X射线基础 |
| 1.3.2 XAFS基本原理 |
| 1.3.3 XAFS常规实验装置和方法 |
| 参考文献 |
| 第2章 钨掺杂二氧化钒的结构和相变的常温研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.1.1 VO_2的基本机构和相变机敏特性 |
| 2.1.2 掺杂VO_2的研究背景 |
| 2.2 样品合成与结构表征 |
| 2.2.1 样品合成 |
| 2.2.2 基础表征:组分测定,XRD、DSC测试 |
| 2.2.3 XAFS测试:透射法与荧光法 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 W-VO_2样品的基础结构信息 |
| 2.3.2 W-VO_2样品的V K边XAFS数据处理和整体结构演变 |
| 2.3.3 W-VO_2样品的W L3边XAFS数据处理和局域结构演变 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第3章 钨掺杂二氧化钒的原位变温XAFS研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 W-VO_2样品的原位变温XAFS测试 |
| 3.2.1 实验装置 |
| 3.2.2 原位变温XAFS测试 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 W-VO_2样品的原位变温XAFS数据处理和分析 |
| 3.3.2 W-VO_2相变机理研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 铬掺杂二氧化钒的原位变温XAFS研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.1.1 基本背景 |
| 4.1.2 铬掺杂二氧化钒的物相研究 |
| 4.2 样品合成与结构表征 |
| 4.2.1 样品合成 |
| 4.2.2 XRD和DSC表征 |
| 4.2.3 原位变温XAFS测试 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 Cr-VO_2样品的常温晶体结构分析 |
| 4.3.2 Cr-VO_2样品的原位变温XAFS数据分析和结构拟合 |
| 4.3.3 Cr-VO_2的温致相变机理的讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（7）空洞原子双自电离过程的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究双自电离过程的背景和意义 |
| 1.2 双自电离过程研究的历史发展和现状 |
| 1.3 研究双自电离过程的主要理论方法 |
| 1.4 本文的主要内容和方法 |
| 第二章 理论方法 |
| 2.1 微扰理论下的双自电离速率 |
| 2.1.1 全相对论哈密顿量 |
| 2.1.2 自由电子波函数的计算 |
| 2.1.3 微扰理论 |
| 2.2 双自电离过程的三种机制 |
| 2.2.1 Shake-off 机制 |
| 2.2.2 Knock-out 机制 |
| 2.2.3 Cascade 机制 |
| 2.3 等离子体辐射不透明度计算方法 |
| 第三章 2p 空洞态自电离宽度对开 M 壳层锗等离子体 L 壳层吸收谱的影响 |
| 3.1 2p 空洞态自电离宽度对锗等离子体 L 壳层吸收谱线的影响 |
| 3.2 2p 空洞态自电离宽度对锗等离子体辐射不透明度的影响 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 氖等核序列双自电离过程的研究 |
| 4.1 Ne~(+)1s2s~(2)2p~6双自电离过程的研究 |
| 4.2 Ne~(2+)-Ne~(6+)1s 单空洞态双自电离速率的研究 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 氩 2p 单空洞态双自电离过程的研究 |
| 5.1 Ar~(+)2p~(5)3s~(2)3p~6组态双自电离过程中间态的研究 |
| 5.2 Ar~(+)2p~(5)3s~(2)3p~6组态双自电离过程末态的研究 |
| 5.3 本章小结 |
| 结束语 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
（8）等离子体X射线球面弯曲晶体成像关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 惯性约束聚变研究背景 |
| 1.2 惯性约束聚变的应用 |
| 1.2.1 可持续能源 |
| 1.2.2 国防安全 |
| 1.2.3 高能天体物理研究 |
| 1.3 激光等离子体 X 射线对 ICF 诊断的意义 |
| 1.4 球面弯曲晶体成像研究现状 |
| 1.5 本课题研究的意义及主要内容 |
| 1.6 本章小结 |
| 2 激光约束聚变物理与 X 射线诊断技术 |
| 2.1 惯性约束聚变过程 |
| 2.2 激光与靶的相互作用 |
| 2.2.1 逆韧致吸收 |
| 2.2.2 共振吸收 |
| 2.2.3 其他吸收 |
| 2.3 等离子体的能量输运 |
| 2.3.1 电子热传导 |
| 2.3.2 X 射线辐射输运 |
| 2.4 ICF 靶丸内爆 |
| 2.4.1 劳逊判据 |
| 2.4.2 靶丸内爆理论 |
| 2.4.3 靶丸内爆对激光辐照对称性的要求 |
| 2.5 X 射线诊断技术 |
| 2.5.1 ICF 诊断要求 |
| 2.5.2 X 射线能谱诊断技术 |
| 2.5.3 X 射线成像诊断技术 |
| 2.6 本章小结 |
| 3 球面弯曲晶体 X 射线成像理论研究 |
| 3.1 X 射线的布拉格衍射 |
| 3.2 罗兰圆结构 |
| 3.3 约翰光谱成像仪 |
| 3.4 球面弯曲晶体成像理论 |
| 3.4.1 球面弯曲晶体近正入射成像结构背光成像理论 |
| 3.4.2 球面弯曲晶体非正入射成像结构背光成像理论 |
| 3.5 球面弯曲晶体的性质 |
| 3.5.1 球面弯曲晶体的布拉格反射 |
| 3.5.2 球面弯曲晶体反射率 |
| 3.5.3 球面弯曲晶体的反射能量 |
| 3.6 球面弯曲成像系统像差的简要分析 |
| 3.6.1 球差 |
| 3.6.2 彗差 |
| 3.6.3 像散及畸变 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 球面弯曲晶体成像系统光线追踪模拟研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 光线追踪软件 SHADOW |
| 4.2.1 光线追踪软件 SHADOW 的介绍 |
| 4.2.2 SHADOW 软件的二进制文件 |
| 4.3 晶体布拉格衍射的光线追踪模拟近似 |
| 4.4 球面弯曲晶体成像系统的模拟研究 |
| 4.4.1 球面弯曲晶体非正入射结构背光成像模拟 |
| 4.4.2 成像物体放置位置对放大率的改变 |
| 4.4.3 球面弯曲半径和布拉格角对放大率的改变 |
| 4.4.4 焦深对放大率的改变 |
| 4.4.5 光源尺寸对空间分辨率的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 球面弯曲晶体成像系统设计研究 |
| 5.1 球面弯曲晶体成像系统的设计 |
| 5.2 球面弯曲晶体成像系统的构成 |
| 5.2.1 成像系统光源 |
| 5.2.2 核心色散元件晶体 |
| 5.2.3 成像接收装置 |
| 5.3 滤光膜透射吸收理论 |
| 5.3.1 X 射线衰减理论 |
| 5.3.2 滤光膜的透过率及选取 |
| 5.4 成像系统的调准对中技术 |
| 5.4.1 可见光简易调准对中技术 |
| 5.4.2 相对位置的调准对中技术 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 球面弯曲晶体成像实验及诊断研究 |
| 6.1 球面弯曲晶体能谱成像实验 |
| 6.1.1 静态 X 射线能谱成像检测实验 |
| 6.1.2 Z 箍缩等离子体 X 射线能谱成像实验 |
| 6.2 球面弯曲晶体能谱成像诊断研究 |
| 6.2.1 能谱分辨率理论 |
| 6.2.2 能谱分辨率诊断结果分析 |
| 6.3 球面弯曲晶体 X 射线背光成像检测实验研究 |
| 6.3.1 背光成像系统的成像参数 |
| 6.3.2 石英球面弯曲晶体背光成像检测实验 |
| 6.3.3 云母球面弯曲晶体背光成像检测实验 |
| 6.3.4 X 射线背光检测成像诊断结果分析 |
| 6.4 高温等离子体背光成像实验和诊断研究 |
| 6.4.1 神光 III 原型背光成像实验 |
| 6.4.2 Z 箍缩背光成像实验 |
| 6.4.3 背光成像诊断结果分析 |
| 6.5 本章小结 |
| 7 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| A 攻读博士学位期间发表的论文目录 |
| B 攻读博士学位期间参与的科研项目 |
（9）高效率高分辨闪烁型中子成像技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 引言 |
| 第1章 中子物理和中子成相 |
| 1.1 中子物理 |
| 1.1.1 中子基本物理 |
| 1.1.2 热中子及其主要特性 |
| 1.1.3 中子源 |
| 1.1.4 中子屏蔽 |
| 1.2 中子成相 |
| 1.2.1 中子成相的原理 |
| 1.2.2 中子成相的装置 |
| 1.3 影响中子成相质量的因素 |
| 1.4 中子成相技术应用 |
| 第2章 试验方法和原理 |
| 2.1 基于CCD（Charge Coupled Device）的中子成相技术 |
| 2.1.1 CCD—中子射线探测器成相的基本原理 |
| 2.1.2 CCD—中子射线探测器成相装置简介 |
| 2.2 基于多阳极光电倍增管（MAPMT）的中子成相技术 |
| 2.2.1 MAPMT—中子射线探测器成相的基本原理 |
| 2.2.2 MAPMT—中子射线探测器成相装置简介 |
| 2.3 两种中子成相方法的比较 |
| 第3章 试验系统的设计和搭建 |
| 3.1 试验装置结构设计 |
| 3.2 试验主要器件分析 |
| 3.2.1 中子源的设计和制作 |
| 3.2.1.1 物理模型设计计算 |
| 3.2.1.2 用FLUKA 程序模拟结果 |
| 3.2.1.3 热中子源的制作 |
| 3.2.2 多阳极光电倍增管及其64 路信号引出 |
| 3.2.2.1 H8500C 型多阳极光电倍增管 |
| 3.2.2.2 多阳极光电倍增管64 路信号的引出 |
| 3.2.3 锂玻璃和铝框架 |
| 3.3 试验系统的整合 |
| 3.4 系统的调试 |
| 第4章 试验结论及分析 |
| 4.1 γ抑制能力的测定 |
| 4.1.1 γ抑制能力的测定方法 |
| 4.1.2 γ抑制能力的测定结论 |
| 4.2 热中子探测效率的测定 |
| 4.2.1 热中子探测效率的测定方法 |
| 4.2.2 热中子探测效率的测定结论 |
| 4.3 位置分辨率的测定 |
| 4.3.1 系统噪声的测定 |
| 4.3.2 信号校正参数的测定 |
| 4.3.3 单点信号位置分辨率的测定 |
| 4.3.4 “H”形位置分辨率的测定 |
| 第5章 结论及改进 |
| 5.1 试验结论 |
| 5.2 试验改进 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
四、阈上电离过程中光电子的角分布及其精细结构（论文参考文献）
- [1]气相水分子及二氧化碳的真空紫外光解动力学研究[D]. 周家米. 浙江师范大学, 2020(01)
- [2]飞秒光激发石墨烯、二碲化钨的太赫兹发射光谱研究[D]. 朱礼鹏. 西北大学, 2018(01)
- [3]飞秒光场中溴丙烯分子电离解离过程的研究[D]. 刘洋. 华东师范大学, 2018(01)
- [4]若干过渡族元素电子亲和势的精密测量[D]. 陈孝林. 清华大学, 2018(04)
- [5]钼酸盐晶体和熔体结构的原位高温拉曼光谱与第一性原理计算模拟研究[D]. 王敏. 上海大学, 2018(06)
- [6]掺杂二氧化钒相变机敏材料的X射线吸收精细结构研究[D]. 谭潇刚. 中国科学技术大学, 2017(05)
- [7]空洞原子双自电离过程的研究[D]. 项文君. 国防科学技术大学, 2012(12)
- [8]等离子体X射线球面弯曲晶体成像关键技术研究[D]. 刘利锋. 重庆大学, 2012(05)
- [9]高效率高分辨闪烁型中子成像技术的研究[D]. 黄长浩. 北京理工大学, 2008(09)
- [10]阈上电离过程中光电子的角分布及其精细结构[J]. 张敬涛,郭东升,张文琦,徐至展. 量子光学学报, 2002(S1)