一、PbWO_4晶体空位型缺陷电子结构的研究（论文文献综述）
严大峰[1]（2020）在《缺陷工程策略调控电催化剂及其性能研究》文中指出随着现代社会的迅猛发展,以化石能源为主的能源架构带来了一定的能源与环境问题。因此,开发寻找清洁、高效、可持续的新能源,为未来构建全球范围的可持续能源系统成为当今人类面临的最重要挑战之一。基于氢气（H2）、氧气（O2）基元反应构建的新型能源存储及转化过程,例如电解水产氢、金属空气电池等,越来越受到广泛的关注及研究。其中,基元反应电极过程需要的电催化剂在其中扮演着极其关键的作用,理想的催化剂能够有效的提升器件的性能。因此,如何合理设计开发高效、廉价的新型催化剂成为构建新能源体系的重中之重。随着各种催化剂合成技术以及高端表征手段的快速发展,得以帮助研究者更好的认识相关反应的动态过程,理解催化剂的原位活化机制,从而指导其开发制备出性能更加优异、成本更低廉的理想催化剂。近年来,科学家开发出各种表面工程方法来调控催化剂电子结构,提升其催化活性,其中缺陷工程策略备受关注。缺陷工程可以在原子尺度上精准调控表面组成,从而构建催化剂局域微环境,调节电子结构,促进催化活性。本论文主要运用缺陷工程策略对碳基及过渡金属基催化剂进行相应的调控,在催化剂中引入不同类型的缺陷,调控催化剂的电子结构,从而影响其对反应中间体的吸脱附情况,进而优化催化反应活性。一方面,通过在催化剂中引入缺陷位点,调控其本征活性,促进催化反应活性;另外一方面,利用缺陷位点活性较高,可以在缺陷位点引入具有特定功能的新元素,调控催化剂使其具有多功能催化作用。本论文具体的研究内容如下:（1）杂原子掺杂型缺陷能够有效的调控催化剂的电子结构,影响催化反应活性。本章研究,我们使用电化学聚合分子组装的方法辅助制备N、P双掺杂的碳材料。结果表明,该策略调控制备的非金属N,P共掺杂多孔碳催化剂表现出优异的HER活性和稳定性。综合多种物理表征,证明P原子成功引入到N掺杂的碳材料中,N,P双原子协同,能够产生更多的缺陷位点,一方面提高催化位点的活性,另外也增加了催化位点的数量,有效的提高HER活性。本工作开辟了一种新的电聚合方法辅助制备直接生长于基地的杂原子均匀掺杂的多孔碳材料,为设计制备更多高效HER催化剂提供新的策略。（2）可以有效的筛选掺杂原子引入掺杂缺陷使其具有新的功能促进特定催化反应活性。本章工作中,为促进碱性HER中第一步水的解离步骤,用Ru单原子对Ni单质颗粒成功实现掺杂调控。将具有超强解离水能力的金属Ru引入到具有较为适中氢吉布斯自由能金属Ni单质当中,Ru原子级分散能够极大的增加解离水的位点,使得每一个Ru原子发挥作用;另外,Ru解离水产生的吸附态H能够迅速的被周围的Ni原子催化产氢。同步辐射XANES证明了Ru以单原子形式掺杂与Ni单质中。电化学测试结果表明,相比与金属Ni催化剂,Ru单原子掺杂后其碱性HER性能显着提升,获得10 mA cm-2只需要55 mV过电位。本章工作通过掺杂引入双组份催化位点,成功实现碱性条件下高效产氢。（3）过渡金属基催化剂,可以使用缺陷工程策略调控其配位环境,引入配位不饱和中心缺陷提高其活性。本章进一步探究了使用缺陷工程策略直接破坏催化剂的配位结构,使其具有更多的配位不饱和金属中心,作为高活性催化位点。一系列物理化学表征证实,通过DBD等离子体对Phy-Co2+中Co-O键进行破坏,产生了丰富的金属配位不饱和位点。电化学测试结果表明,P-Phy-Co2+样品展示出非常优异的OER性能,其只需要306 mV过电位来获得10 mA cm-2的电流密度,而原始样品Phy-Co2+则需要383 mV,降低了约77 mV。进一步分析其Tafel斜率,可以推断出,产生金属配位不饱和中心能够优化OER反应中间物种*OH,*O,*OOH的吸附能,从而显着提升相关性能。本工作直接研究催化剂本身配位情况对电催化的作用,突出了配位不饱和缺陷位点的重要作用。（4）缺陷位点较为活泼,可以利用此特性在缺陷位点引入新的功能原子或分子,赋予其新的功能。本章中,以具有OER活性但HER相对惰性的Co3O4为研究对象,使用常温CH4等离子处理,构筑丰富氧空位的同时实现C杂原子的原位修饰,使其同时具有HER和OER双功能催化作用。电化学测试结果表明,C杂原子的引入,使得原本对于HER相对惰性的Co3O4催化剂表现出优异的碱性HER活性,其仅需要163 mV过电位来获得10 mA cm-2的电流密度。DFT计算结果表明C杂原子的引入,一方面提高了其导电性,另外一方面在HER中其对H的吸附自由能（ΔGH*）更接近与0,对OER反应中间物种O*和OOH*的吸附能进行优化,从而极大的降低了过电位。本工作中通过在缺陷位点引入新的功能原子,形成新的催化微环境,进一步丰富了缺陷的研究。
项楠楠[2]（2020）在《切削过程表面缺陷形成机理研究》文中进行了进一步梳理钛合金在实际切削加工过程中,由于刀具塑性变形以及切削面的剧烈摩擦,使得工件已加工表面的微观组织发生变化,导致表面产生不同类型的缺陷,从而影响工件的刚度、强度、耐磨性、疲劳寿命等性能。前人的研究多以切削试验的表面完整性数据分析为主,针对钛合金切削加工表面缺陷形成机理的研究较少,对表面显微组织与其性能的关系仍缺乏深入的研究。因此本文以TA2、TC4为研究对象,采用车削试验、表面粗糙度表征和正电子湮没技术相结合的系统研究方法,观察表面微观显微组织。计算TA2、TC4的价电子结构,阐明钛合金已加工表面缺陷形成机理,揭示加工表面缺陷与合金成分的映射关系,从而提高钛合金的使用性能。本文的主要内容和相关结论如下:（1）采用单因素方法,通过改变加工切削用量,对TA2、TC4进行车削试验。制作已加工工件的金相试样,观察表面微观组织结构,得到工件的表面缺陷类型,进而探究不同切削用量对表面缺陷的影响。研究表明:对于相同材料,表面微观组织结构对切削参数呈现各向异性,进给量越大,表面微观组织结构的变化越大,切削速度和切削深度的影响不明显。在不同的切削参数情况下,TA2和TC4的表面缺陷形式均以位错型缺陷为主。（2）通过正电子湮没技术,揭示切削参数与TA2、TC4已加工表面缺陷的映射关系。研究表明:降低切削加工的切削速度可得到较低的表面缺陷浓度;加工两种材料时应尽量避开进给量为0.2mm/r的情况;加工TA2时优先选用背吃刀量0.2mm,加工TC4时优先选用背吃刀量0.25mm。（3）通过慢正电子束技术,对位错型缺陷的电子密度、微观结构和缺陷形成过程进行深入表征。研究表明:切削速度为76m/min时TA2的表面质量较高;选择切削速度为30m/min和76m/min对TC4进行车削加工时均可以得到相对较好的表面质量。进给量对TA2表面质量的影响不明显;进给量为1.0mm/r时,TC4可得到较好的表面质量。（4）研究界面价电子结构与TA2、TC4力学性能的关系,进而分析添加Al、V元素对合金性能的影响。研究表明:TA2中共价键与金属键共存,由于键合力的作用,使得TA2容易发生断裂、塑性形变。而TC4合金中由于Al、V元素的存在,使得强度增大,阻碍了位错运动,因此发生塑性变形和断裂的几率低。结合电子密度计算结果可知,TC4界面电子密度不连续,产生位错型缺陷的几率较低。这与慢正电子束试验的分析结果一致,验证了价电子结构的有效性。
徐程浩,王莉,何向明,尚玉明[3]（2016）在《含空位和杂质缺陷的LiFePO4电子结构的第一性原理计算》文中认为采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了含空位和杂质缺陷的LiFePO4电子结构,通过能带、态密度、布居分布分析,阐明缺陷及阴离子掺杂对材料电化学性能的影响,为LiFePO4的结构设计和实验研究提供理论基础。结果表明,Li、Fe和O空位型缺陷对LiFePO4的带型变化影响较小,禁带中无新的导带,禁带宽度有一定程度缩小,有利于电子的传导,但总能量上升,造成结构的不稳定性,在实际高温制备过程中,可能产生少量杂相,影响LiFePO4正极材料的电化学性能;P空位缺陷对LiFePO4的带型影响同样较小,但在禁带中产生了两条新的导带,禁带宽度明显变窄,有利于电子的传导,虽然总能量上升,造成结构的不稳定性,但在实际高温制备过程中,可能产生微量有利于电化学性能的杂相;F掺杂LiFePO4的带型出现了明显的变化,半导体类型由p型转变为n型,极大地促进了电子的导电性,总能量下降,结构稳定,对LiFePO4正极材料的电化学性能有正面的影响。
钟淑英[4]（2015）在《硅晶体空位缺陷的Jahn-Teller效应与应变特性研究》文中指出随着全球环境的恶化以及能源消耗的加剧,开发和利用可再生能源的重要性日益突出。因而,开发利用可再生的清洁能源已经成为各国政府大力发展的领域之一。可再生能源中最具代表性的是太阳能光伏技术。硅材料以其高储量、合适的能带结构（较高的转换效率）、无毒无害、物理性能稳定（长寿命）等明显的优势成为了太阳能电池研究开发的主体材料。硅片的质量影响到成品太阳能电池的短路电流和断路电压等参数,在很大程度上决定了太阳能电池的发电效率和使用寿命。在此背景下,本文利用第一性原理方法研究了缺陷对晶体硅电子结构性质的影响。论文首先建立含单空位（V1）、双空位（V2）和六边形空位环（V6）缺陷超胞结构模型；接着研究了晶体硅中V1、V2和V6空位缺陷的原子和电子结构,分析了Jahn-Teller效应对电子结构的影响；然后,研究了这几种缺陷在布里渊区附近的电子（空穴）有效质量；最后,研究了应力（应变）对含缺陷晶体硅电子结构的影响。通过上述研究,本论文取得了以下主要结果：1.发现Jahn-Teller效应对缺陷结构稳定性和电子结构性质有重要影响。V1、V2空位缺陷中存在Jahn-Teller效应,弛豫后原子结构对称性下降；V6空位缺陷中没有发生Jahn-Teller效应,弛豫后原子结构对称性不变。无Jahn-Teller效应的V6空位缺陷是V1、V2和V6缺陷中最稳定的缺陷,双空位两种类型的缺陷V2-RB结构与V2-LP结构相比略微更稳定由于其更小的空位形成能。V1和V2电子结构中在带隙中存在深能级；而V6在带隙中出现拖尾带。JT形变对分解电荷密度的影响表现在：V1和V2-LP构型的间隙带分解电荷密度具有明显的方向性,而V2-RB和V6的间隙带和拖尾带几乎没有方向性,主要是来自空位最近邻原子的电荷构成。JT形变也对差分电荷密度有相似的影响。2.结果表明空位缺陷对晶体硅电子（空穴）的有效质量有较大影响。完美晶体硅和六边形空位缺陷的能带结构具有立方对称性,而单空位和双空位缺陷体系由于Jahn-Teller畸变使出现的间隙带具有非对称的和局域的特性；完美晶体硅和含空位缺陷体系本征能带所对应的电子（空穴）有效质量具有近似相同的对称性,表明Jahn-Teller畸变没有改变单空位和双空位导带底和价带顶非局域态的能带的对称性；单空位缺陷间隙态和价带顶的局域态能带电子（空穴）有效质量值均不大且有一定的方向性,LP型和RB型双空位相应的有效质量均具有明显方向性,而六边形空位缺陷相应的有效质量具有对称性,说明Jahn-Teller畸变对单空位和双空位的间隙态和价带顶的局域态的能带有明显的影响；通过空位缺陷对晶体硅能带结构和有效质量的影响分析可以进一步探讨空位缺陷对晶体硅电导率及电子迁移率的影响,从而深入揭示空位缺陷对晶体硅电学性能影响的物理本质。3.我们发现应变（压应变或张应变）越大,总能越高,结构越不稳定。同时,应变对不同空位能带结构有不同的影响,具体表现在应变不改变六边形和单空位缺陷能带本身的对称性,而对双空位能带的对称性影响较大。且双空位LP型间隙带对压应变比较敏感,而双空位RB型间隙带对张应变比较敏感。此外,应力对带隙都有调控作用,这种调控作用与空位类型关系不大。
张秀荣,尹琳,陈晨[5]（2013）在《WmBn（m+n≤7）团簇电子结构与光谱性质的计算研究》文中研究指明采用密度泛函理论中的B3LYP方法,在LANL2DZ基组水平上优化了WmBn（m+n≤7）团簇的几何结构,得到了它们的基态构型,并对其自然键轨道（natural bond orbital,NBO）以及振动光谱进行了计算研究.结果表明:团簇中NBO电荷分布状况与团簇的对称性相关;W原子比B原子电荷调节能力强,易与其他原子形成化学键;最大频率以及最强峰值对应的振动模式大部分是B原子或W原子的伸缩振动以及摇摆振动.
邵明国[6]（2012）在《钨酸铅晶体的生长及光学性能研究》文中研究表明钨酸铅（PWO）晶体由于其自身特点：高密度、短辐射长度和Moliere半径、快的闪烁衰减时间及较强的抗辐照损伤能力，成为欧洲核子中心（CERN）建设的大型强子对撞机（LHC）中电磁量能器用的首选材料，PWO晶体在高能物理领域、核医学领域等有着广泛的应用，从而PWO晶体作为一种闪烁材料成为近年来国内外研究的热点。本论文以PWO晶体为研究对象，开展了PWO晶体的生长、退火、离子扩散改性、PWO微晶的合成及光学性能等方面探索性工作，其中主要内容包括以下几个方面：1.采用下降法（Bridgman）、垂直梯度凝固法（VGF）生长了PWO及(F-,Y3+):PWO晶体，通过优化生长工艺，得到透明、无宏观缺陷PWO晶体。生长的PWO晶体为纯的四方相白钨矿型晶体，PWO单晶在350nm有较强吸收，但随着F-、Y3+的掺入，减少了在350nm处的本征吸收，PWO:（F,Y）晶体荧光强度得到明显提高，且发光主峰向短波移动了10-20nm，PWO在1000ns积分时间内光产额为32pe/MeV，衰减时间为4.2ns，VGF、Bridgman法生长(F-,Y3+):PWO晶体在1000ns积分时间内光产额分别为50pe/MeV、65pe/MeV，衰减时间分别为：7ns、5ns。2. Ce3+、Eu3+离子扩散PWO晶体减少了在350nm处的本征吸收，但Cr3+扩散PWO在420nm处产生了一个强吸收带；随着进入PWO离子浓度的增大，Ce3+、Cr3+扩散PWO晶体荧光强度逐渐减小，且Ce3+扩散PWO有红移现象,但Eu3+离子扩散PWO荧光强度逐渐增强。Ce3+、Eu3+、Cr3+离子扩散PWO晶体在1000ns积分时间内光产额分别为：36pe/MeV、46pe/MeV、<10pe/MeV。发光衰减时间分别为：4.7ns、6.5ns、4.0ns。3.不同气氛退火可改善350nm处PWO晶体的本征吸收,但富氧环境下退火PWO在420nm处有较强吸收;O2、N2退火PWO产生红移现象，C粉退火PWO荧光强度得到明显改善，但黄绿光成分有所增加。O2、N2、C粉不同气氛退火PWO晶体在1000ns积分时间内光产额分别为：10p.e/MeV、25p.e/MeV、38p.e/MeV，衰减时间分别为5.2ns、4.5ns、4.4ns。4.共沉淀法合成PWO微晶结晶良好，随着加入PEG-400量的增加，由塔状变成梭子状，在蓝、绿光范围内具有较宽的发射谱带，但发光强度低于纯PWO微晶。超声辅助法合成(Ce3+、Cl-):PWO微晶结晶良好，随着Ce3+、Cl-离子浓度的增加，PWO微晶由块状向带状转变，(Ce3+,Cl-):PWO微晶荧光光谱强度逐渐减弱。
邵明国,向卫东,梁晓娟,金怀东,蔡倩[7]（2011）在《钨酸铅（PbWO4）晶体的研究进展》文中指出钨酸铅（PWO）晶体由于自身特点:高密度（8.28g/cm3）、短辐射长度（0.87cm）和Moliere半径（2.12cm）、快的闪烁衰减时间（（?）<50ns）以及较强的抗辐照损伤能力,已经成为了最具发展潜力的闪烁晶体之一,作为一种良好的闪烁晶体,PWO晶体在高能物理、核医学等领域有着广泛的应用。主要综述了PWO晶体的结构、发光机制、自身缺陷、晶体生长的研究现状,着重阐述了生长工艺改善和离子掺杂改性对钨酸铅晶体性能的影响,分析了PWO晶体的发展前景。
郭小丰,张启仁,刘廷禹,尹继刚,宋敏[8]（2009）在《第一性原理研究BaMoO4晶体中F和F+色心的电子结构》文中研究表明运用相对论密度泛函离散变分法（DV-Xα）计算了BaMoO4晶体中F和F+色心的电子结构.结果表明:F和F+心在禁带中引入了新的施主能级,采用过渡态的方法计算得到了F和F+心到导带底部的跃迁能量分别为1.86 eV和2.11 eV,对应668 nm和590 nm的吸收.由此说明BaMoO4晶体中668 nm和590 nm吸收带起源于晶体中的F和F+心.
刘廷禹,张启仁,庄松林[9]（2005）在《斜钨矿结构钨酸铅晶体电子结构和光学的偏振性质研究》文中提出利用完全势缀加平面波局域密度泛函近似,计算了完整的白钨矿结构和斜钨矿结构的钨酸铅（PbWO4）晶体的电子结构;模拟计算了复数折射率、介电函数及吸收光谱的偏振特性。分析了各个吸收光谱的峰值所对应的可能的电子跃迁以及钨酸铅晶体的偏振特性。钨酸铅晶体的光学性质的各向异性反映了钨酸铅晶体的晶格结构的各向异性。计算结果表明:斜钨矿结构的钨酸铅晶体的光学性质与白钨矿结构的钨酸铅的光学性质之间存在明显的差异。这说明钨酸铅晶体是一种结构敏感的晶体;计算结果为研究钨酸铅晶体的光学性质与晶体结构之间的关系提供理论基础。
柯春珊,应杏娟[10]（2005）在《斜钨矿结构钨酸铅晶体电子结构和光学性质的模拟计算》文中认为利用完全势缀加平面波局域密度泛函近似,计算了完整的白钨矿结构和斜钨矿结构的钨酸铅晶体的电子结构,模拟计算了复数折射率、介电函数及吸收光谱。分析了各个吸收光谱的峰值所对应的可能的电子跃迁。计算结果表明:斜钨矿结构的钨酸铅晶体的光学性质与白钨矿结构的钨酸铅存在明显的差异,这说明钨酸铅晶体是一种结构敏感的晶体;计算结果为研究钨酸铅晶体的光学性质与晶体结构之间的关系提供理论基础。
二、PbWO_4晶体空位型缺陷电子结构的研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、PbWO_4晶体空位型缺陷电子结构的研究（论文提纲范文）
（1）缺陷工程策略调控电催化剂及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电催化 |
| 1.2.1 电催化反应及其机理 |
| 1.2.2 电催化剂性能评估参数 |
| 1.3 缺陷工程调控电催化活性 |
| 1.3.1 缺陷类型 |
| 1.3.2 缺陷表征 |
| 1.4 本论文的选题背景及主要研究内容 |
| 第2章 电化学聚合分子组装辅助制备N、P共掺杂碳材料用于氢析出反应研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验主要药品与仪器 |
| 2.2.1 实验药品 |
| 2.2.2 仪器设备 |
| 2.3 N,P双掺杂多孔碳制备与表征 |
| 2.3.1 N,P双掺杂碳催化剂制备 |
| 2.3.2 N,P双掺杂碳催化剂的物理表征与电化学性能测试 |
| 2.4 结果分析与讨论 |
| 2.4.1 N,P双掺杂碳催化剂物理表征及讨论 |
| 2.4.2 N,P双掺杂碳催化剂电化学性能测试 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 单原子钌调控碳负载的金属镍颗粒用于碱性电催化氢析出研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验药品与仪器 |
| 3.2.1 实验药品 |
| 3.2.2 实验仪器 |
| 3.3 材料制备与表征 |
| 3.3.1 不同样品材料制备 |
| 3.3.2 不同样品材料物理表征与电化学性能测试 |
| 3.4 结果分析与讨论 |
| 3.4.1 物理表征结果和分析 |
| 3.4.2 催化剂电化学性能测试 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 植酸钴金属有机复合物配位结构调控及其电催化氧析出性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验主要药品与仪器 |
| 4.2.1 实验药品 |
| 4.2.2 实验仪器 |
| 4.3 催化剂材料制备与表征 |
| 4.3.1 Phy-Co~(2+)的制备及配位不饱和位点构筑 |
| 4.3.2 Phy-Co~(2+)系列样品的物理表征与电化学性能测试 |
| 4.4 结果分析与讨论 |
| 4.4.1 Phy-Co~(2+)及P-Phy-Co~(2+)样品物理表征 |
| 4.4.2 Phy-Co~(2+)及P-Phy-Co~(2+)样品电化学性能测试 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 碳原子部分修饰Co_3O_4纳米片氧空位用于电催化全解水反应的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验主要药品与仪器 |
| 5.2.1 实验药品 |
| 5.2.2 实验仪器 |
| 5.3 实验部分 |
| 5.3.1 Co_3O_4及C-Co_3O_4 样品制备 |
| 5.3.2 Co_3O_4及C-Co_3O_4 物理表征与电化学性能测试 |
| 5.4 结果分析与讨论 |
| 5.4.1 Co_3O_4及C-Co_3O_4 样品物理表征 |
| 5.4.2 Co_3O_4及C-Co_3O_4 样品电化学测试与分析 |
| 5.5 理论计算 |
| 5.5.1 计算方法 |
| 5.5.2 计算结果和分析 |
| 5.6 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 附录 A 攻读学位期间所发表的主要学术论文目录 |
| 致谢 |
（2）切削过程表面缺陷形成机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题的研究背景及意义 |
| 1.2 课题的研究目的 |
| 1.3 切削加工表面缺陷的研究现状 |
| 1.4 正电子探测技术 |
| 1.4.1 正电子的湮没过程 |
| 1.4.2 慢正电子技术基础 |
| 1.4.3 正电子国内外研究现状 |
| 1.5 研究思路与实验方法 |
| 1.6 研究内容及技术路线 |
| 第2章 钛合金车削实验与正电子测试 |
| 2.1车削实验 |
| 2.1.1 实验机床 |
| 2.1.2 实验材料 |
| 2.1.3 确定车削实验参数 |
| 2.1.4 车削试验过程 |
| 2.1.5 样品制备 |
| 2.2 表面粗糙度测量 |
| 2.2.1 表面粗糙度测量设备 |
| 2.2.2 表面粗糙度测量过程 |
| 2.3 切削表面缺陷的正电子实验研究 |
| 2.3.1表面缺陷的正电子寿命谱实验 |
| 2.3.2正电子多普勒展宽实验 |
| 2.3.3慢束流正电子多普勒展宽实验 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 钛合金切削表层缺陷形成机理研究 |
| 3.1 TA2、TC4 微观组织特点 |
| 3.2 已加工面表面微观特性 |
| 3.2.1 TA2 表面缺陷结构观察和分析 |
| 3.2.2 TC4 表面缺陷结构观察和分析 |
| 3.3 切削用量对表层微观缺陷特性的影响 |
| 3.3.1 切削速度对切削表层微观缺陷特性的影响 |
| 3.3.2 进给量对表层微观缺陷特性的影响 |
| 3.3.3 工件表层微观组织缺陷随切削深度的变化规律 |
| 3.4 从微观角度分析表面粗糙度变化的原因 |
| 3.5 切削参数对表面粗糙度的影响 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 正电子湮没技术研究钛合金表面缺陷特性 |
| 4.1 S、W参数 |
| 4.2 TA2和TC4 在不同切削速度的表面微观缺陷分析 |
| 4.3 TA2和TC4 在不同进给量的微观缺陷分析 |
| 4.4 TA2和TC4 在不同背吃刀量的微观缺陷分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 切削过程钛合金表面微观缺陷的研究 |
| 5.1 TA2和TC4 在不同切削速度下的表面微观缺陷分析 |
| 5.1.1 TA2 表面缺陷的微观特性影响研究 |
| 5.1.2 TC4 表面缺陷的微观特性影响研究 |
| 5.2 进给量对TA2、TC4 表面缺陷微观特性的影响分析 |
| 5.2.1 进给量对TA2 表面缺陷的微观特性影响研究 |
| 5.2.2 进给量对TC4 表面缺陷的微观特性影响研究 |
| 5.3 Al元素对TA2、TC4中d电子行为的分析 |
| 5.3.1 不同切削条件下TA2、TC4 对比分析 |
| 5.3.2 TA2、TC4 商谱分析 |
| 5.3.3 EET理论计算TA2 价电子结构 |
| 5.3.4 键距差法 |
| 5.3.5 TA2、TC4 界面结合因子的计算方法 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和获得的科研成果 |
| 致谢 |
（3）含空位和杂质缺陷的LiFePO4电子结构的第一性原理计算（论文提纲范文）
| 1 理论模型和计算方法 |
| 1. 1 模型构建 |
| 1. 2 计算方法 |
| 2 结果与讨论 |
| 2. 1 ( 1 × 1 × 2 ) 理想Li Fe PO4超晶胞的电子结构 |
| 2. 2 空位及杂质缺陷Li Fe PO4超晶胞的电子结构 |
| 2. 3 空位及杂质缺陷Li Fe PO4超晶胞的布居分布 |
| 3 结论 |
（4）硅晶体空位缺陷的Jahn-Teller效应与应变特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 光伏技术中的硅晶体及其缺陷 |
| 1.1.1 硅在现代光伏技术中的地位 |
| 1.1.2 硅晶体中的几种典型空位缺陷及其研究现状 |
| 1.1.3 硅空位缺陷研究意义 |
| 1.2 硅空位缺陷的Jahn-Teller效应 |
| 1.2.1 硅空位缺陷Jahn-Teller效应及其研究背景 |
| 1.2.2 硅空位缺陷Jahn-Teller效应的研究现状 |
| 1.2.3 硅空位缺陷Jahn-Teller效应的研究意义 |
| 1.3 硅空位缺陷能带有效质量 |
| 1.3.1 电子和空穴的有效质量计算 |
| 1.3.2 硅材料电子(空穴)有效质量的研究现状 |
| 1.3.3 硅缺陷电子(空穴)有效质量的研究意义 |
| 1.4 硅空位缺陷的应变特性 |
| 1.4.1 硅应变工程及应力引入方法 |
| 1.4.2 硅应变的研究进展 |
| 1.4.3 Si应变及其研究意义 |
| 1.5 本文研究内容 |
| 第2章 计算理论与方法 |
| 2.1 密度泛函理论 |
| 2.1.1 薛定谔方程 |
| 2.1.2 Born-Oppenheimer近似 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn定理 |
| 2.1.4 Kohn-Sham方法 |
| 2.1.5 交换关联泛函 |
| 2.2 赝势平面波方法 |
| 2.2.1 Bloch定理 |
| 2.2.2 布里渊区 |
| 2.2.3 赝势 |
| 2.2.4 截断能 |
| 2.3 结构优化 |
| 第3章 硅空位的Jahn-Teller效应及其对电子结构的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 计算方法和参数设定 |
| 3.3 硅空位缺陷的结构特性及形成能 |
| 3.3.1 空位缺陷的结构特性 |
| 3.3.2 空位的形成能 |
| 3.3.3 空位结构特性的结果讨论 |
| 3.4 Jahn-Teller对含空位硅晶体电子结构的影响 |
| 3.4.1 能带结构 |
| 3.4.2 分解电荷密度 |
| 3.4.3 差分电荷密度 |
| 3.5 结果讨论 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 含空位缺陷晶体硅有效质量的第一性原理研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 模型与计算方法 |
| 4.2.1 论模型 |
| 4.2.2 计算方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 几何结构优化 |
| 4.3.2 能带结构 |
| 4.3.3 有效质量计算 |
| 4.4 结论 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 应变缺陷晶体硅电子结构的第一性原理计算 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 模型与计算方法 |
| 5.2.1 理论模型 |
| 5.2.2 计算方法 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 弛豫后硅缺陷体系总能 |
| 5.3.2 应变硅空位缺陷的能带结构 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 本文主要研究结论 |
| 6.2 本文主要创新之处 |
| 6.3 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（5）WmBn（m+n≤7）团簇电子结构与光谱性质的计算研究（论文提纲范文）
| 1 计算方法 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 基态结构 |
| 2.2 自然键轨道分析 |
| 2.3 光谱分析 |
| 3 结论 |
（6）钨酸铅晶体的生长及光学性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 钨酸铅晶体的研究现状 |
| 1.2.1 钨酸铅晶体的基本特性 |
| 1.2.1.1 钨酸铅晶体结构性质 |
| 1.2.1.2 透过率 |
| 1.2.1.3 发光机制 |
| 1.2.1.4 光产额及衰减时间 |
| 1.2.2 钨酸铅晶体缺陷 |
| 1.2.2.1 钨酸铅晶体开裂 |
| 1.2.2.2 PWO 晶体的着色 |
| 1.2.3 钨酸铅晶体的生长方法 |
| 1.2.3.1 提拉法（Czochralski） |
| 1.2.3.2 坩埚下降法（Bridgman） |
| 1.2.3.3 垂直梯度凝固法（VGF） |
| 1.3 本论文的研究目的、意义及内容 |
| 1.3.1 本论文研究的目的、意义 |
| 1.3.2 本论文研究内容 |
| 第二章 实验方法及测试表征 |
| 2.1 钨酸铅晶体的生长 |
| 2.1.1 坩埚下降法生长钨酸铅晶体 |
| 2.1.1.1 钨酸铅晶体坩埚下降法生长装置 |
| 2.1.1.2 钨酸铅晶体坩埚下降法生长工艺 |
| 2.1.2 垂直梯度凝固法（VGF）生长钨酸铅晶体 |
| 2.1.2.1 钨酸铅晶体垂直梯度凝固法（VGF）生长装置 |
| 2.1.2.2 钨酸铅晶体垂直梯度凝固法（VGF）生长工艺 |
| 2.1.3 掺杂钨酸铅晶体的生长研究 |
| 2.2 钨酸铅晶体退火实验 |
| 2.2.1 钨酸铅晶体退火实验装置 |
| 2.2.2 钨酸铅晶体退火工艺 |
| 2.3 钨酸铅晶体离子扩散实验 |
| 2.3.1 钨酸铅晶体离子扩散实验装置 |
| 2.3.2 钨酸铅晶体离子扩散工艺 |
| 2.4 钨酸铅微晶的合成及性能研究 |
| 2.4.1 钨酸铅微晶合成原料 |
| 2.4.2 钨酸铅微晶合成工艺 |
| 2.5 钨酸铅晶体样品的制备 |
| 2.5.1 XRD 测试用样品 |
| 2.5.2 光学性能测试用样品 |
| 2.5.3 扫描电镜测试用样品 |
| 2.6 测试分析方法 |
| 2.6.1 X-射线衍射 |
| 2.6.2 晶体吸收、透过光谱 |
| 2.6.3 晶体荧光光谱 |
| 2.6.4 光产额（LY）、衰减时间测试 |
| 2.6.5 微晶形貌、组成测试 |
| 第三章 钨酸铅晶体的生长及光学性能研究 |
| 3.1 下降法钨酸铅单晶的生长及光学性能研究 |
| 3.1.1 下降法钨酸铅单晶的生长 |
| 3.1.2 下降法生长钨酸铅晶体光学性能分析测试 |
| 3.1.2.1 下降法生长钨酸铅单晶 XRD 分析 |
| 3.1.2.2 下降法生长钨酸铅单晶透过光谱 |
| 3.1.2.3 下降法生长钨酸铅单晶荧光光谱 |
| 3.1.2.4 下降法生长钨酸铅单晶光产额性能 |
| 3.1.2.5 下降法生长钨酸铅单晶衰减时间性能 |
| 3.2 下降法(F-,Y~(3+)):PWO 晶体的生长及光学性能研究 |
| 3.2.1 下降法(F-,Y~(3+)):PWO 晶体的生长 |
| 3.2.2 下降法生长(F-,Y~(3+)):PWO 晶体光学性能分析测试 |
| 3.2.2.1 下降法生长(F‐,Y~(3+)):PWO 晶体 XRD 分析 |
| 3.2.2.2 下降法生长(F‐,Y~(3+)):PWO 晶体透射光谱 |
| 3.2.2.3 下降法生长(F‐,Y~(3+)):PWO 晶体荧光光谱 |
| 3.2.2.4 下降法生长(F‐,Y~(3+)):PWO 晶体光产额性能 |
| 3.2.2.5 下降法生长(F‐,Y~(3+)):PWO 晶体衰减时间性能 |
| 3.3 垂直梯度凝固法(F-,Y~(3+)):PWO 晶体的生长及光学性能研究 |
| 3.3.1 垂直梯度凝固法(F-,Y~(3+)):PWO 晶体的生长 |
| 3.3.2 垂直梯度凝固法生长(F-,Y~(3+)):PWO 晶体光学性能分析测试 .33 |
| 3.3.2.1 垂直梯度凝固法生长(F‐,Y~(3+)):PWO 晶体 XRD 分析 |
| 3.3.2.2 垂直梯度凝固法生长(F‐,Y~(3+)):PWO 晶体透射光谱 |
| 3.3.2.3 垂直梯度凝固法生长(F‐,Y~(3+)):PWO 晶体荧光光谱 |
| 3.3.2.4 垂直梯度凝固法生长(F‐,Y~(3+)):PWO 晶体光产额性能 |
| 3.3.2.5 垂直梯度凝固法生长(F‐,Y~(3+)):PWO 晶体衰减时间性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 钨酸铅单晶的不同离子扩散及光学性能研究 |
| 4.1 钨酸铅晶体的 Ce~(3+)扩散及光学性能 |
| 4.1.1 Ce~(3+)扩散钨酸铅晶体的制备 |
| 4.1.2 Ce~(3+)扩散钨酸铅晶体光学性能研究 |
| 4.1.2.1 Ce~(3+)扩散钨酸铅晶体透过光谱 |
| 4.1.2.2 Ce~(3+)扩散钨酸铅晶体荧光光谱 |
| 4.1.2.3 Ce~(3+)扩散钨酸铅晶体光产额性能 |
| 4.1.2.4 Ce~(3+)扩散钨酸铅晶体衰减时间性能 |
| 4.2 钨酸铅晶体的 Eu~(3+)扩散及光学性能 |
| 4.2.1 Eu~(3+)扩散钨酸铅晶体的制备 |
| 4.2.2 Eu~(3+)扩散钨酸铅晶体光学性能研究 |
| 4.2.2.1 Eu~(3+)扩散钨酸铅晶体透过光谱 |
| 4.2.2.2 Eu~(3+)扩散钨酸铅晶体荧光光谱 |
| 4.2.2.3 Eu~(3+)扩散钨酸铅晶体光产额性能 |
| 4.2.2.4 Eu~(3+)扩散钨酸铅晶体衰减时间性能 |
| 4.3 钨酸铅晶体的 Cr~(3+)扩散及光学性能 |
| 4.3.1 Cr~(3+)扩散钨酸铅晶体的制备 |
| 4.3.2 Cr~(3+)扩散钨酸铅晶体光学性能研究 |
| 4.3.2.1 Cr~(3+)扩散钨酸铅晶体透过光谱 |
| 4.3.2.2 Cr~(3+)扩散钨酸铅晶体荧光光谱 |
| 4.3.2.3 Cr~(3+)扩散钨酸铅晶体光产额性能 |
| 4.3.2.4 Cr~(3+)扩散钨酸铅晶体衰减时间性能 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 钨酸铅晶体退火实验 |
| 5.1 钨酸铅晶体不同气氛退火样品制备 |
| 5.2 不同气氛退火钨酸铅晶体性能测试 |
| 5.2.1 不同气氛退火钨酸铅晶体透过、吸收光谱 |
| 5.2.2 不同气氛退火钨酸铅晶体荧光光谱 |
| 5.2.3 不同气氛退火钨酸铅晶体光产额性能 |
| 5.2.4 不同气氛退火钨酸铅晶体衰减时间性能 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 钨酸铅微晶原料的合成及性能研究 |
| 6.1 共沉淀法合成钨酸铅微晶原料 |
| 6.1.1 钨酸铅微晶原料的共沉淀合成 |
| 6.1.2 共沉淀合成钨酸铅微晶原料性能测试 |
| 6.1.2.1 共沉淀合成钨酸铅微晶 XRD 谱图 |
| 6.1.2.2 共沉淀合成钨酸铅微晶场发射扫描电子显微镜 |
| 6.1.2.3 共沉淀合成钨酸铅微晶能量色散光谱(EDS)分析 |
| 6.1.2.4 共沉淀合成钨酸铅微晶荧光光谱 |
| 6.1.3 PWO 微晶形貌的形成及机理 |
| 6.2 超声辅助法 Ce~(3+)、Cl-钨酸铅微晶原料的合成及性能研究 |
| 6.2.1 超声辅助法 Ce~(3+)、Cl-钨酸铅微晶原料的合成 |
| 6.2.2 超声辅助法合成 Ce~(3+)、Cl-钨酸铅微晶原料性能测试 |
| 6.2.2.1 超声辅助法合成 Ce~(3+)、Cl-钨酸铅微晶 XRD 谱图 |
| 6.2.2.2 超声辅助法合成 Ce~(3+)、Cl‐钨酸铅微 FESEM 图像 |
| 6.2.2.3 超声辅助法合成 Ce~(3+)、Cl‐钨酸铅微晶荧光光谱 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
（7）钨酸铅（PbWO4）晶体的研究进展（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 PWO晶体的结构 |
| 2 PWO晶体与其它闪烁晶体性能比较 |
| 3 PWO晶体生长技术进展 |
| 3.1 提拉法 |
| 3.2 坩埚下降法 |
| 4 PWO晶体的发光机制 |
| 5 PWO晶体缺陷 |
| 5.1 PWO晶体开裂 |
| 5.2 PWO晶体的着色 |
| 6 PWO晶体的改性 |
| 7 展望 |
（8）第一性原理研究BaMoO4晶体中F和F+色心的电子结构（论文提纲范文）
| 1 计算模型和计算方法 |
| 1.1 计算模型 |
| 1.2 计算方法 |
| 2 计算结果和讨论 |
| 3 结 论 |
（10）斜钨矿结构钨酸铅晶体电子结构和光学性质的模拟计算（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 计算方法和晶体结构 |
| 2.1 晶体结构 |
| 2.2 方法概述 |
| 3 计算结果与讨论 |
| 3.1 电子态密度分布图 |
| 3.2 介电函数的虚部 |
| 3.3 吸收光谱: |
| 3.4 折射率 |
| 4 结 论 |
四、PbWO_4晶体空位型缺陷电子结构的研究（论文参考文献）
- [1]缺陷工程策略调控电催化剂及其性能研究[D]. 严大峰. 湖南大学, 2020(01)
- [2]切削过程表面缺陷形成机理研究[D]. 项楠楠. 沈阳理工大学, 2020(08)
- [3]含空位和杂质缺陷的LiFePO4电子结构的第一性原理计算[J]. 徐程浩,王莉,何向明,尚玉明. 化学通报, 2016(05)
- [4]硅晶体空位缺陷的Jahn-Teller效应与应变特性研究[D]. 钟淑英. 南昌大学, 2015(07)
- [5]WmBn（m+n≤7）团簇电子结构与光谱性质的计算研究[J]. 张秀荣,尹琳,陈晨. 江苏科技大学学报(自然科学版), 2013(04)
- [6]钨酸铅晶体的生长及光学性能研究[D]. 邵明国. 温州大学, 2012(04)
- [7]钨酸铅（PbWO4）晶体的研究进展[J]. 邵明国,向卫东,梁晓娟,金怀东,蔡倩. 材料导报, 2011(S1)
- [8]第一性原理研究BaMoO4晶体中F和F+色心的电子结构[J]. 郭小丰,张启仁,刘廷禹,尹继刚,宋敏. 上海理工大学学报, 2009(01)
- [9]斜钨矿结构钨酸铅晶体电子结构和光学的偏振性质研究[J]. 刘廷禹,张启仁,庄松林. 光学学报, 2005(10)
- [10]斜钨矿结构钨酸铅晶体电子结构和光学性质的模拟计算[J]. 柯春珊,应杏娟. 光学仪器, 2005(04)