一、自制精细的PCB印刷板（论文文献综述）
郝聪聪[1]（2021）在《湍流测仪器的关键技术研究》文中研究指明海洋湍流是一种连续的不规则流动,其中蕴含了很多不同尺度的涡旋。湍流是海洋动能耗散的主要形式,是海洋宏观现象的原动力。对气候、深海环流、潮汐预报等人类活动有重要意义。湍流混合是深海能量和物质输送的动力来源,理解不同尺度的现象和能量级联至关重要。获得精确的湍流数据对研究海域宏观运动和物理机制具有重要意义。海洋湍流的活动范围是全海深的,从海面延伸至海底,但由于探底控制难度大、设备成本高,目前无法对海底边界层数据进行观测。当前的湍流观测数据主要揭示了1000米以浅的单垂线通路特征,实现我国6000米全海深湍流观测是透明海洋体系的关键。由于传统的湍流传感器只能实现一维观测,缺少复杂三维流场湍流的方向性特征。而且为实现矢量观测,过去采用两个一维传感器正交布放,这样的观测方式为非单点观测且分辨率低。因此,急需开发一种二维矢量湍流传感器。对海洋湍流的产生过程而言,它涉及从“10米量级”到“米级尺度”再到“厘米量级”的动力学过程,“米级尺度”的翻转过程是湍流形成的关键。这种“米级尺度”的翻转结构具有多点相关性。因此,完整刻画湍流的产生过程需要具有水平多点相关性的“米级尺度”观测。而目前的湍流观测仪器缺乏对米级边界层等湍流微细结构的水平相关结构和演化研究。为实现深海多剖面精细化观测,提升海气、海底边界层等关键区域湍流演化认知,亟需开展新型湍流感测原理和仪器设计研究。本文以基于MEMS技术研制的高空间分辨率、矢量型湍流传感器为核心,开发了一种低成本、全海深湍流混合矩阵式剖面观测仪器:采用子母弹形式实现6000米全海深观测;首先矩阵式剖面观测仪器跨越上混合层,在500米以深洋流运动相对平缓处实现子母弹分离,子弹同步释放,呈矩阵式下潜,可以有效保障子弹独立运行姿态和水平同步观测数据的质量。当子弹穿越海底边界层,到达近海底位置再上浮回收,可以精确的测量海底边界层的湍流结构。在回收子弹时,创新性地提出了利用波浪能量转化为电能给传感器供电的想法。采用可靠数据回收、设备重复利用技术,降低仪器使用成本;基于矩阵式剖面观测开展湍流混合和边界层演化研究。基于MEMS技术的全海深湍流混合矩阵式剖面观测仪器的成功研制,可实现全海深湍流混合的水平时空同步化立体观测,拓展海洋观测的时空覆盖范围及监测尺度,提升深远海“透明海洋”科学认知,优化湍流相干结构与多尺度耦合精细研究,进一步搭建深海湍流混合的物理数学模型,突破现有海洋观测局限性,提升深海研究能力,实现海洋环境的可预报性,对发展深远海观测、监测和研究具有重大意义。本文的研究要点为:1.研发了基于子母弹技术的全海深湍流混合矩阵式观测仪,采用三盘释放的机械结构结合电磁铁控制的释放方案,突破了深海高压环境下子母弹同步分离控制的关键技术。2.提出了一种MEMS二维湍流传感器,由仿生纤毛和四梁微结构组成。通过仿真分析设计了传感器的具体参数,对传感器进行共振频率测试,同时搭建了室内湍流测试平台,与PNS传感器进行了对比测试。经验证,MEMS湍流传感器具有矢量性,可耐压40MPa。3.针对子弹的回收,提出了收集海洋能量为回收之前的仪器供电的方案。基于摩擦起电和电磁感应原理提出了两种不同结构的摩擦-电磁复合发电机,采用的盒状摩擦-电磁发电机可利用互补机制在二维方向收集波浪能,其中电磁部分和摩擦部分的最大输出功率分别为14.9m W和0.08m W,并搭建了一种自供电无线传感系统。4.矩阵式仪器经过湖试,验证了基本功能并测得湍流信号。
陈琳琳[2]（2020）在《纳米纤维素/聚酰亚胺复合材料的制备及其在柔性电子中的应用》文中研究表明聚酰亚胺（PI）是众所周知的高性能聚合物材料,被认为是柔性电子器件基底最合适的候选材料。由于传统的PI薄膜往往呈黄色或棕黄色,严重影响柔性电子器件对透明性的要求。为此,常采用引入-CF3等含氟基团的方法来提高透明度,获得无色聚酰亚胺（CPI）,并结合引入羟基等基团从而弥补现有CPI膜不易分解的缺陷,解决现有柔性基底不易分解或热稳定性不佳的问题,为柔性绿色电子基底的研究开辟了新的途径。更进一步地,选用耐热型的纳米微晶纤维素（CNC）对CPI进行增强改性,可制备出一种具有改善性能的CNC/CPI复合膜基底,该基底具有平衡的高机械和热稳定性以及光学性能,再加上出色的OLED性能,其可能为制造高质量和低成本的柔性OLED带来新的机会。选用棉纤维为原料,采用TEMPO氧化法对比草酸水解法分别制备了两种不同类型的纳米纤维素,根据纤维形态和尺寸的不同,分别记为纳米微晶纤维素（Nanocrystalline cellulose,CNC）和纳米微细化纤维素（Microfibrillated cellulose,CNF）。其中,TEMPO氧化制备的CNF主要呈纤丝状,纤维长度较长,交织成网状结构,而草酸水解法制备出的CNC呈椭圆棒状结构,长度较短。同时,CNF膜更透明（透光率可达到92%）,力学性能也略高于CNC,但热性能明显不佳;而CNC膜的热稳定性非常突出,其热分解温度比CNF膜高近90℃,可用作耐热型材料,并且由于其尺寸更小,比表面积更大,透光率和力学性能也能满足使用的要求,可以考虑将其作为一种良好的填料用在后续的应用中以提升复合材料的性能。同时,针对当前耐热型柔性电子基板难以绿色分解或热稳定性差的问题,经过分子结构设计,选用BAHPFP作为二胺单体,6FDA作为二酐单体,合成了一种带有羟基的新型CPI作为柔性电子的基底。该基底具有优异的热性能和机械性能,并保持了出色的光学性能。其中,热分解温度达到430℃,最高工作温度达到300℃,拉伸强度和弹性模量分别为103MPa和2.49GPa。同时,基底在600nm处具有91%的透光率。且基底具有良好的表面平整性,其粗糙度仅为0.38nm,满足柔性电子基底粗糙度小于5nm的要求。在此基底上制备的柔性线路印刷板（FPC）在绿色溶剂乙醇中表现出了出色的可分解性,并且具备优异的耐弯折性能和良好的导电性。更进一步地,针对传统棕色PI透明化为无色CPI后,热性能和机械性能损失的问题,在CPI基质中引入前述高耐热型CNC作为增强填料,制备CNC/CPI复合膜基底。由于CNC的出色的机械和热性能以及它们与CPI基质的强界面相互作用,所得基底材料获得显着提升的机械性能和热性能,同时保持良好的光学透明性。相比于纯CPI,当CNC的添加量为4%时,复合膜的热分解温度提高了13℃,弹性模量和抗张强度分别提高了49%、24%,内外耐折性能均得到明显增强。且复合膜表面平整,粗糙度为0.74nm,透光率为86%@600nm,复合膜基底最高操作温度320℃。并且,以4%CNC/CPI复合膜为基底制作的OLED@CNC/CPI器件,相较于OLED@glass,该器件不仅能在弯曲的状态下稳定发光,具有更好的柔韧性,而且具有更高的电流效率,在20,000cd/m2时可达72.7cd/A,比玻璃基底的高41%。
赵超山[3]（2020）在《基于银纳米线电极的可拉伸交流电致发光器件研究》文中进行了进一步梳理可拉伸交流电致发光显示器（ACEL）是一种将发光特性与机械性能相结合新兴光电器件。由于其制备工艺存在较大困难,该器件并未得到广泛应用。本文以银纳米线为基础采用丝网印刷技术制备出可拉伸ACEL器件,展示出良好的光电特性和拉伸性能,在低压下能够获得较高发光亮度,将其贴敷于人体表皮,通过控制电信号实现了显示发光对声音有响应的可穿戴电子器件。主要结果如下:（1）采用丝网印刷技术制备的长银纳米线（长度为60-70μm）电极,其电学性能、透光率均优于短银纳米线（长度为30-40μm）电极。研究表明长银纳米线电极在100%拉伸和50%反复拉伸下均表现出优异的拉伸性能。为制备可拉伸ACEL器件奠定基础,同时也为制备更优越的银纳米电极提供了低成本、低损耗的处理工艺。（2）将电致发光层进行丝网印刷图案化,通过对不同粒度、厚度、比例和高介电常数复合材料所制备的ACEL器件光电特性和拉伸性能的测试,表明添加钛酸钡（BTO）纳米颗粒的聚偏氟乙烯-六氟丙烯（PVDF-HFP）复合弹性体的介电常数比纯弹性体PVDF-HFP介电常数高近3倍,发光亮度大于2倍。同时,在不同程度的机械拉伸下均能保持稳定的光电特性。（3）通过层层堆叠丝网印刷技术利用不同掺杂方式制备出ZnS:Cu（绿色）、ZnS:Cu（蓝色）、ZnS:Mn（橙色）三种色彩的可拉伸ACEL器件,该器件在单轴拉伸和多次反复循环拉伸时展现出稳定的发光特性,有效的推动了可穿戴电子器件的发展。（4）将受声波控制的电信号输入贴敷于人体表皮的纯色可拉伸ACEL器件,表现出肢体移动与显示稳定的交互作用,从而实现了可穿戴电子系统的搭建和应用。
刘鹏宇[4]（2019）在《液晶显示模组表面空气式静电放电及能量特性研究》文中研究指明显示屏是现代电子设备的重要组成部分,随着新技术的发展,显示屏的应用和使用越来越广泛,其需求不断增长。随着半导体制造工艺和结构的日益精细以及电路集成度的不断提高,电子器件对静电放电的敏感度也不断提高。显示模组在制造、生产和使用的过程中都会受到静电放电作用。在实际生产和生活中,空气放电是对电子设备造成干扰和损伤的主要原因。静电放电可以导致显示屏和触摸屏潜在性失效、软件损伤或硬件故障,最可能扰乱或损坏显示屏的路径是通过玻璃的位移电流。本文通过对显示屏的物理结构和生产、使用过程中静电放电发生形式的分析,从理论上明确了显示屏静电放电失效机理。然后,通过对显示屏的空气式静电放电实验以及位移电流的测量,研究了放电电压、放电极性以及ESD模拟器接近速度的影响。基于位移电流波形与分布可以计算出电荷密度,电荷密度比放电电流更能说明局部区域的损伤风险。本文主要研究内容与结论如下:1.对显示屏静电放电发生形式与失效机理的研究中,结果表明:显示模组在制造、生产和使用的过程中都会受到静电放电作用;在实际生产和生活中,空气放电是对电子设备造成干扰和损伤的主要原因;静电放电造成显示模组损伤的部位主要有IC、触摸感应层。2.针对对地空气式静电放电进行了实验研究,明确了放电电压、放电极性、接近速度对空气式静电放电的影响。实验结果表明:在一定电压范围内,放电电流峰值随放电电压的增大而减小,同时上升时间随放电电压的增大而增大;模拟器接近速度越大,放电电流峰值越大,上升时间越小。3.对显示屏的空气式静电放电实验中,研究了放电电压、放电极性、接近速度、显示屏表面玻璃厚度的影响。实验结果表明:在一定电压范围内,电流峰值随放电电压的增大而减小;上升时间随放电电压的增大而增大;正极性放电的放电电流峰值和放电总能量远大于负极性放电。放电电流峰值随接近速度的增大而增大,上升时间随接近速度的增大而减小。放电电流峰值随表面玻璃厚度的增大而减小。4.通过自主设计的装置测量了通过显示屏的位移电流,实验结果表明:随着测量点与放电点之间距离的增大,位移电流波形峰值减小,上升时间增大,正极性放电峰值更大且扩散范围更广。电荷密度随着距放电点位置的增大而减小。与正极性相比,尽管负极性放电电流峰值较低,但电荷密度较高,说明负极性放电具有造成更高等级损伤风险的危害。
罗威[5]（2018）在《倒装焊焊点的可靠性研究》文中认为随着当代微电子封装技术的快速发展,半导体的加工尺寸越来越小,晶片的尺寸越来越大,并且集成电路中芯片的I/O端口数也在不断增加,与此相对应,微电子的封装技术也愈来愈倾向于高精密度、高稳定性和低成本。在所有的电子封装芯片互连技术中,倒装焊（Flip Chip Bonidng,FCB）技术得益于高封装密度以及极佳的高频性能,使微电子封装技术产生了巨大进步,正在成为现代微电子封装的主要互连技术。但同时,倒装焊技术也产生了不少封装失效的问题,因此,倒装焊互连焊点的可靠性已成为微电子封装技术中极其关键的问题。热循环条件下,不仅要分别考虑到焊点的塑性行为和蠕变行为,更要将焊点塑性和蠕变行为互相影响的因素综合在一起分析,因此,如果仅从理论上,无法准确地分析其应力应变分布情况。本文将使用热超声倒装键合工艺制备倒装焊芯片,选用对倒装焊焊点进行剪切力测试作为判断热超声倒装焊焊点键合效果的标准,主要对键合完成后的样本进行破坏性的剪切力实验,研究键合力和超声功率对焊点的抗剪切力的影响。并且采用有限元软件ANSYS对倒装焊焊点的可靠性进行了模拟分析并给出焊点的应力应变分布结果。模拟过程中,使用不同的材料模型,会对有限元软件ANSYS最终的模拟结果产生差别很大的影响。本文在对比了一系列焊点材料粘塑性本构模型之后,决定采用Anand本构模型。Anand模型在焊点应力分析中已经得到了广泛的应用,并且该模型已经被嵌入到ANYSY软件中,所以使用该模型对倒装焊焊点的性能观察相当有用。此模型下焊点在热循环条件下的应力应变分布情况较为合理。利用此模型,能尝试利用非线性有限元方法解决一般的粘塑性问题,这里较为详尽地分析了该问题的解决过程。同时,利用有限元方法分析了Anand本构模型下倒装焊焊点的粘塑性力学性能,并得到了焊点在热循环下条件下的应力应变分布特征情况:焊点的最大应力应变值出现在焊点与芯片边缘处接触处,焊点下方受到的应力要比其上方所受到的应力小;整个热循环阶段中,应力应变的发生明显变化的地方始终处于边缘焊点处,焊点在温度变化过程中应力应变的变化显着,而在温度稳定过程中应力应变变化程度较轻。综合以上的分析,采用相关的经验修正计算方程,我们可以较准确的计算并预测倒装焊焊点的热疲劳寿命。
刘梦真[6]（2018）在《电解再生酸性氯化铜蚀刻液中试及石墨毡阳极粘接的研究》文中研究指明印制电路板（PCB）是电子产品的重要组成部分,其现行生产过程会产出大量的蚀刻废液。蚀刻废液中含有大量的氯化铜、盐酸和氯化钠等组分,为了保护环境和节约资源,需要对蚀刻废液进行合理回收。电解再生法有可能同时实现酸性氯化铜蚀刻废液原位再生与铜回收,符合绿色环保的要求。但是现有电解再生方法还存在很多问题,如装置复杂、氯气析出、沉积铜品质较低、电解槽电压高等。这些问题限制了电解再生装置的工业化应用与推广。我们提出了一种与PCB蚀刻生产线配套使用的蚀刻液现场再生和铜回收流程。设计并制作了电解槽、计量泵、电加热管和储液槽等设备,搭建了中试装置并进行了蚀刻液电解再生和铜回收实验。通过对实验方案的调整和改进,有效解决了实验中出现的槽电压过高、阳极侧析氯和铜沉积形貌差等问题。该流程可以实现蚀刻液现场再生和铜回收同时进行,电解过程中不会析氯,阴极沉积铜纯度超过99%且能够以铜板形式回收,电解槽电压低至1.141.17 V,在本征安全设计、回收铜纯度控制、装置复杂程度及能耗等方面有明显优势,具有较高的经济效益和推广价值。为改进电解槽阳极的装配方式,减少石墨毡阳极与集流体之间的良好电接触对机械挤压的依赖,同时提高石墨毡的电化学活性,我们利用恒电位法对石墨毡进行了聚苯胺修饰。修饰后石墨毡的亲水性大大改善并且对铜离子的电化学反应活性提高。通过搅拌和超声方法制备了以碳黑为导电填料、聚偏氟乙烯为粘接剂和N-甲基吡咯烷酮为溶剂的导电胶,实现了对石墨毡电极与柔性石墨纸集流体的简单可靠粘接。探究了导电胶配比、涂胶量和固化压力条件对石墨毡-集流体粘接试样导电性能和粘结强度的影响。粘接试样的接触电阻相较于靠压紧的无胶试样降低了50%,拉伸剪切强度达到与石墨毡自身强度接近的25.3×10-33 MPa。将胶粘石墨毡电极用于酸性氯化铜蚀刻液的电解再生和铜回收小试实验,单槽电压降低了0.08 V。这使得以每吨金属铜计的电解再生和铜回收的比能耗降低了80 KW·h。
孔维玉[7]（2018）在《基于β-Ga2O3与石墨烯构成的新型日盲紫外光电探测器的研究》文中进行了进一步梳理日盲紫外光是一种波长介于200 nm和280 nm之间的电磁辐射,日盲紫外探测器不需使用冷却装置,环境适应性较好,在导弹预警、紫外成像、紫外保密通信等领域应用广泛。虽然日盲紫外探测器具有一系列的优势,但是目前的日盲紫外探测器也面临的一些较为普遍的问题:如宽禁带半导体与金属接触性能较差;常见的金属电极使得光信号的有效接收率下降,容易导致器件性能参数较低;基于半导体微纳结构的材料制备条件不好精确控制,制备的器件容易受环境因素影响,使得探测器件稳定性以及重复性较差。为了改善器件面临的以上问题,我们通过在高质量的n型β-Ga2O3单晶片未抛光面蒸镀一层Cr/Au电极,另一面转移石墨烯,在这项研究中,制备的MLG-Ga2O3结型器件具有较好的整流特性,并且对254 nm日盲紫外光具有很高的响应,器件的光电测试结果表明该器件具有很好的稳定性和重复性。计算出器件的响应度和探测率分别高达39.3 A/W和5.92×1013 Jones,器件性能参数远远优于大多数基于Ga2O3纳米结构的器件。此外,进一步的光谱响应分析表明,该器件对波长小于254nm的紫外光高度敏感,但对波长大于280 nm的光信号几乎没有明显的响应,这种光谱选择性与器件的工作机理高度吻合。一系列结果表明,基于该结构的MLG-Ga2O3结型器件将在未来的光电系统中具有很好的应用前景。
王春振[8]（2016）在《电化学法再生印刷电路板蚀刻液及石墨毡阳极改性研究》文中提出酸性氯化铜蚀刻液主要组分是CuCl2和HCl,用于印刷线路板（PCB）的蚀刻加工工序。蚀刻反应进行时,蚀刻液中Cu（I）浓度逐渐升高而成为蚀刻废液。国内PCB厂家每天产生8000吨以上的蚀刻废液,其中含有铜900吨左右,必须对蚀刻废液进行合理回收。然而现有的酸性蚀刻液回收技术都有一定的缺陷,例如电极析气、槽电压较高、设备成本高等。本文采用石墨毡做电化学法再生回收PCB蚀刻液阳极,利用自制电解池对蚀刻废液进行电解实验,并对蚀刻废液再生效果进行了考察。电解实验结果表明再生蚀刻液达到了新鲜蚀刻液的标准,并可确保电解时无Cl2析出。在电流密度为30 mA·cm-2进行电解时,电解槽电压约为1.25 V,较前人的实验结果更低。采用改进后电解池在电流密度为40 mA·cm-2进行电解时,阴极沉积铜表面无颗粒状铜析出。为提高电化学再生PCB蚀刻液中石墨毡阳极的电化学活性,分别采用了KOH活化法和CVD法对石墨毡进行改性。采用KOH活化法对石墨毡进行活化,并将活化后的石墨毡用作PCB蚀刻液电解回收阳极。通过XPS分析了KOH活化后石墨毡碳纤维表面的元素组成及官能团形式,结果显示KOH活化石墨毡含氧量增加到6.27%。利用CV曲线和EIS考察了KOH活化后石墨毡电极的电化学活性,发现900°C下经KOH活化得到的石墨毡（AGF-900）电极对Cu（I）/Cu（II）电对表现出最强的电化学活性。相比原始石墨毡,采用KOH活化石墨毡做电解回收PCB蚀刻液阳极时,可有更低的槽电压及阳极电位。采用CVD法在石墨毡碳纤维表面生长CNT,并将生长有CNT的石墨毡电极用作PCB蚀刻液电解回收阳极。通过SEM和TEM观察了石墨毡表面形貌和碳纳米管分布情况,结果表明CVD处理温度越高CNT直径越粗、生长速率越快。通过XPS分析了CVD法处理后石墨毡的官能团形式,结果显示1100°C下得到的CNT具有更多的缺陷位点。利用CV曲线考察了CVD法处理后石墨毡的电化学性能,发现1100°C下得到的石墨毡（CNT-1100/GF）对Cu（I）/Cu（II）电对表现出最好的性能。相比AGF-900,采用CNT-1100/GF电极做电解再生PCB蚀刻液阳极时,可有更低的槽电压及阳极电位。
遇世友[9]（2015）在《导电碳膜的静电自组装制备及其直接电沉积铜研究》文中指出目前印刷电路板（PCB）中集成的电子元器件分别通过铜导电线路及金属化的孔实现互联,如采用传统的非金属电镀工艺加工,需经胶体钯活化与化学镀铜后再接续电沉积铜,不仅工艺繁杂,且使用贵金属钯和对人体有害的甲醛。随着国家对节能减排要求不断提升,传统制造工艺已不适合继续应用,本文提出静电自组装制备导电碳膜,并在其表面直接电沉积形成铜层。具体来讲,分别以碳黑和石墨烯为导电介质,在阳离子聚合物处理后将基板表面荷正电荷,通过静电吸附荷负电荷的碳颗粒实现自组装成膜,并进行了自组装碳膜上直接电沉积铜的研究。该新型加成法制造工艺免去化学镀工序,生产效率高、污染物排放低,对推动PCB制造技术的发展提供有价值的指导。碳黑的分散实验表明在筛选六种表面活性剂中壬基酚聚氧乙烯醚（TX-10）性能优于其他表面活性剂,添加量为碳黑量25wt.%时体系粘度和透光率降到最低。采用分子动力学模拟软件Material Studio（MS）从润湿分散的角度建立表面活性剂在碳黑表面吸附模型,探讨了表面活性剂的吸附形态和结构与吸附能的关系,明确了TX-10分子平卧时吸附作用能较大,且能量高于其它筛选的表面活性剂,印证碳黑分散实验的结果。进而对其阴离子改性后的壬基酚聚氧乙烯醚磷酸酯（TXP-10）进行考察,实验结果表明其在均匀分散碳黑的基础上,具有调整碳颗粒荷负电荷的作用。通过紫外-可见光谱测试证实对于阳离子聚丙烯酰胺（CPAM）预处理过的基体,TXP-10分散的碳黑吸附量显着提高。探讨预处理液中聚合物浓度和阳离子度、碳分散液中碳含量和分散方式等因素对自组装碳黑膜性能的影响,确定优化的制备工艺条件为:阳离子度10%的CPAM溶液,浓度为100mg/L,浸渍时间150s;碳黑含量是1.0wt.%,TXP-10添加量0.25wt.%;采用球磨分散碳黑,球料比1:1,球磨时间为120min;自组装浸渍的循环次数为2次。在自组装碳黑膜直接电沉积实验中,采用阴极极化曲线法研究了分散剂对碳黑上铜沉积影响。结果表明,分散剂包覆在碳黑表面阻碍铜离子还原,增大还原反应的极化电位,致使碳上铜沉积速率低,施镀30min后,铜层覆盖率小于5%。针对该问题,实验采用添加剂调整镀液组分,有效地抑制铜离子在铜表面的优先沉积。阴极电流密度1.5A·dm-2时,30mg/L的PEG10000可使铜在碳与铜表面还原电位差增大至70m V。经镀液优化后碳膜覆铜速率显着提高,然而获得铜层发暗。而碳表面经氧化后带有羟基和羧基等含氧极性官能团,采用MS模拟计算明确表面氧化降低了TXP-10在碳黑表面吸附作用能,并通过微分电容和极化曲线测试进一步证实阴极极化时分散剂TXP-10在氧化碳黑表面发生脱附,减小了铜离子还原的极化,增大碳上铜沉积速率,在施镀20min后组装碳膜完全被沉积铜层所覆盖。以此阳离子聚丙烯酰胺和高氧化碳黑分散液的工艺处理通孔径为0.21.0mm的PCB板,电沉积后孔内铜层均匀完整且与孔壁结合力良好。在自组装氧化石墨烯（GO）膜的研究中,首先探讨p H值对GO分散性影响,在优化p H为10溶液中GO分散更充分,且对应最低zeta电位-68m V。而通过紫外-可见光谱测试表明自组装多层膜特征峰的吸光度与层数呈正比关系,即组装GO层是均匀等厚的。分别采用恒电位极化和硼氢化钠原位在线还原自组装GO膜,对比显示硼氢化钠相较恒电位电化学还原更有效率,在20min内还原反应基本完成,且明确了还原氧化石墨烯（RGO）的还原程度与其阴极铜沉积过程具有对应关系,还原程度越大则石墨烯上铜沉积反应的电流越大。而通过自组装和后续原位化学还原在PCB板表面形成图形化RGO/CPAM导电层,恒流沉积时铜沿RGO层逐渐沉积生长,20min内图形区域完全被铜层覆盖,实现PCB板表面的直接电沉积金属化。对自组装过程GO与CPAM的相互作用进行系统地研究。首次通过电化学石英晶体微天平佐证GO在组装过程中静电力的作用效果,并采用红外光谱测试和MS分子动力学模拟,证实GO的羧基和CAPM的氨基形成N—H…:O结构的分子间氢键。在此基础上构建了自组装膜结构模型并提出GO自组装反应历程,主要包括两个步骤:第一,静电作用为自组装的驱动力,GO在吸引力下接近CPAM吸附层表面;第二,GO片层在完成形态调整后继续靠近CPAM,并且与CPAM形成分子间氢键,最终GO在静电力、范德华力和氢键共同作用下固定在CPAM表面。
枚芳[10]（2013）在《酸性氯化铜蚀刻废液再生处理的试验研究》文中进行了进一步梳理印制电路板（PCB）生产过程中不可避免地将带来大量的含铜浓度约为80-130g L-1的酸性蚀刻废液。目前，企业多采用化学氧化法和电化学法再生处理这类蚀刻废液，这两种方法虽然能够快速地去除蚀刻废液中的Cu+，恢复蚀刻废液的蚀刻性能，但存在着化学法处理后蚀刻液体积不断增大、电化学工艺参数控制条件苛刻，反应过程中阳极析氯、阴极析氢等问题。因此，继续开展酸性氯化铜蚀刻废液再生处理试验研究具有重要的理论价值和实际意义。本文分别采取溶剂萃取法和反萃相预分散中空纤维支撑液膜（HFSLM）技术，对试验室模拟的酸性氯化铜蚀刻废液进行了再生处理试验研究，并对再生液进行了模拟蚀刻试验，主要试验结果如下：（1）溶剂萃取法中选取TBP（磷酸三丁酯）/磺化煤油为萃取剂，H2O2为反萃取剂，从酸性氯化铜蚀刻废液中选择性地萃取Cu+，分别探讨了TBP含量、油水比（O/A）、萃取时间、HCl浓度、Cl-浓度等对Cu+萃取效率的影响，以及H2O2浓度、油水比（O/A）、反萃取时间等对反萃取效率的影响。此外，采用红外光谱分析、紫外吸收光谱分析、化学浓度分析、斜率法以及XRD表征等方法对萃取、反萃取萃合物的组分进行了分析。试验结果表明：①TBP/磺化煤油从酸性氯化铜蚀刻废液中萃取Cu+时的最佳萃取相组成为70%TBP+30%磺化煤油，油水比（O/A）为1:1，HCl浓度不低于2mol L-1，达到萃取平衡的时间为2min，而萃取效率与Cl-浓度无关；②最佳油水比（O/A）为5:4， H2O2浓度为4%，达到反萃平衡的时间为4min；③酸性氯化铜蚀刻废液中的Cu+以二溶剂化合物HCuCl2·2TBP的形式被TBP萃取，反萃取试验中得到的水相为CuCl2溶液。（2） HFSLM以聚醚砜中空纤维膜为支撑体，采用TBP/磺化煤/H2O2作为传质体系，考察了有机相浓度、水相流速、反萃取剂浓度等工艺参数对HFSLM传质通量的影响，结果表明：传质通量随H2O2浓度的增加不断增大，而随TBP含量和水相流速的增大呈先增大后减小的趋势，确定最佳操作条件为萃取剂TBP含量为5%、水相流体流速为40.16/40.05mL min-1、反萃取剂H2O2浓度为6%。（3）分析了Cu+在HFSLM体系中的传质过程，构建了HFSLM传质模型InCc/Cp=nA/Vf.Pe.t，并用试验数据计算出Cu+在HFSLM中总传质系数=3.14×10-5m·s-1。（4）分别采用酸性氯化铜蚀刻液、溶剂萃取和HFSLM再生处理得到的再生液进行蚀刻试验，结果表明三种蚀刻液的蚀刻速率极其相近。证明了溶剂萃取法和HFSLM均能够有效地恢复酸性氯化铜蚀刻废液的蚀刻性能。试验结果表明以TBP/磺化煤油为萃取剂的溶剂萃取法，能有效地提取酸性氯化铜蚀刻废液中的Cu+；以H2O2作为反萃剂一方面能高效再生萃取剂，另一方面反萃取得到的产物为CuCl2能再利用到蚀刻废液再生液的调节中，真正实现了“零”排放与循环利用。HFSLM大大提高了支撑液膜的稳定性，萃取与反萃取过程同时完成，操作简单方便，对酸性氯化铜蚀刻废液中的Cu+具有极高的选择性萃取作用。
二、自制精细的PCB印刷板（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、自制精细的PCB印刷板（论文提纲范文）
（1）湍流测仪器的关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1.绪论 |
| 1.1 课题来源及研究背景 |
| 1.1.1 课题来源 |
| 1.1.2 研究背景 |
| 1.2 海洋湍流观测与认知科学研究现状 |
| 1.3 海洋湍流观测仪器与平台技术发展现状 |
| 1.4 湍流传感器的发展现状 |
| 1.5 研究内容 |
| 1.6 论文的章节简介 |
| 2.矩阵式剖面观测理论与仪器总体设计 |
| 2.1 湍流的测试难点 |
| 2.2 仪器总体结构 |
| 2.2.1 母弹的总体结构设计 |
| 2.2.2 子弹的总体结构设计 |
| 2.3 子弹电路硬件设计 |
| 2.3.1 子弹系统传感器介绍 |
| 2.3.2 微弱信号调理电路的设计 |
| 2.3.3 采集与存储模块的设计 |
| 2.3.4 电路的上电及电源模块 |
| 2.4 子弹软件设计 |
| 2.5 小结 |
| 3.MEMS纤毛式剪切流传感器设计加工及测试 |
| 3.1 传感器结构及原理 |
| 3.1.1 传感器结构设计 |
| 3.1.2 传感器测量原理 |
| 3.1.3 灵敏度计算原理 |
| 3.1.4 湍流动能耗散率计算原理 |
| 3.2 MEMS传感器有限元分析 |
| 3.2.1 稳态仿真分析 |
| 3.2.2 模态仿真分析 |
| 3.3 湍流传感器的加工与封装 |
| 3.3.1 压敏电阻的设计 |
| 3.3.2 MEMS湍流传感器的加工工艺 |
| 3.3.3 湍流传感器芯片的集成 |
| 3.3.4 湍流传感器的封装技术 |
| 3.4 传感器室内标定 |
| 3.4.1 传感器共振频率测试 |
| 3.4.2 标定原理与装置设计 |
| 3.4.3 灵敏度及信噪比测试 |
| 3.4.4 传感器方向性实验 |
| 3.4.5 传感器耐静水压实验 |
| 3.5 小结 |
| 4.能源供给与子弹的回收 |
| 4.1 子弹的整体回收方案 |
| 4.2 海洋能量收集装置 |
| 4.2.1 摩擦纳米发电机 |
| 4.2.2 二维盒状复合纳米发电机 |
| 4.2.3 钟摆式多方向复合纳米发电机 |
| 4.2.4 两种能量收集装置的比较 |
| 4.3 小结 |
| 5.仪器水域试验 |
| 5.1 外场实验 |
| 5.1.1 实验方案设计及仪器的布放和回收 |
| 5.1.2 湍流传感器数据分析 |
| 5.2 关键技术的实现 |
| 5.2.1 子母弹深海同步分离与运动控制技术 |
| 5.2.2 MEMS矢量性湍流传感技术 |
| 5.2.3 子弹的自供电定位回收技术 |
| 5.3 小结 |
| 6.总结与展望 |
| 6.1 论文主要研究成果 |
| 6.2 创新点 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间所发表的论文及取得的研究成果 |
| 致谢 |
（2）纳米纤维素/聚酰亚胺复合材料的制备及其在柔性电子中的应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 柔性电子器件基底分类及研究现状 |
| 1.3 聚酰亚胺 |
| 1.3.1 聚酰亚胺简介 |
| 1.3.2 无色聚酰亚胺制备及应用 |
| 1.4 纳米纤维素 |
| 1.4.1 纳米纤维素的分类和制备方式 |
| 1.4.2 纳米纤维素在柔性电子中的应用 |
| 1.5 课题研究的目的及主要内容 |
| 1.5.1 研究目的 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第二章 高耐热型纳米纤维素的制备及性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验材料与方法 |
| 2.2.1 实验材料 |
| 2.2.2 实验方法 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 微观形貌观察 |
| 2.3.2 透光率测试 |
| 2.3.3 热性能测试 |
| 2.3.4 红外光谱分析 |
| 2.3.5 力学性能测试 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 可乙醇分解的高耐热型聚酰亚胺薄膜的制备及性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验材料与方法 |
| 3.2.1 实验材料 |
| 3.2.2 实验方法 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 基底的微观形貌和表面性质 |
| 3.3.2 红外光谱分析 |
| 3.3.3 光学性能测试 |
| 3.3.4 机械性能测试 |
| 3.3.5 热性能测试 |
| 3.3.6 阻燃性和化学稳定性测试 |
| 3.3.7 FPC板的制作与评估 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 纳米纤维素/聚酰亚胺复合膜的制备及其在柔性OLED中的应用研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验材料与方法 |
| 4.2.1 实验材料 |
| 4.2.2 实验方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 基底的表面及内部微观结构 |
| 4.3.2 复合膜的光学性能 |
| 4.3.3 复合膜的红外光谱分析 |
| 4.3.4 复合膜的表面性能 |
| 4.3.5 复合膜的热性能 |
| 4.3.6 复合膜的机械性能 |
| 4.3.7 复合膜的化学稳定性和电学性能 |
| 4.3.8 OLED器件的制作与评估 |
| 4.4 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 1.结论 |
| 2.主要创新点 |
| 3.展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（3）基于银纳米线电极的可拉伸交流电致发光器件研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 可拉伸ACEL器件 |
| 1.2.1 发光材料 |
| 1.2.2 介电材料 |
| 1.2.3 柔性/可拉伸电极 |
| 1.2.4 丝网印刷制备技术 |
| 1.3 ACEL器件的工作原理和结构 |
| 1.4 国内外研究现状及体系选择 |
| 1.5 选题的研究意义及内容 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第2章 可拉伸银纳米线电极的制备及其性能表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验试剂 |
| 2.2.2 实验仪器 |
| 2.2.3 银纳米线的合成 |
| 2.2.4 银纳米线电极的制备 |
| 2.3 性能表征 |
| 2.4 结果与讨论 |
| 2.4.1 银纳米线的显微形貌 |
| 2.4.2 银纳米线透光率与电阻的关系 |
| 2.4.3 银纳米线电极制备工艺与粗糙度的影响 |
| 2.4.4 丝网印刷银纳米线图案精度与光学表征 |
| 2.4.5 银纳米线电极电学性能表征 |
| 2.5 本章总结 |
| 第3章 可拉伸ACEL器件的制备及其性能表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验试剂 |
| 3.2.2 实验仪器 |
| 3.2.3 可拉伸ACEL器件电极的制备 |
| 3.2.4 发光层的制备 |
| 3.2.5 介电层的制备 |
| 3.3 性能表征 |
| 3.3.1 扫描电子显微镜(SEM)微观表征 |
| 3.3.2 可拉伸ACEL器件亮度及其拉伸性能表征 |
| 3.3.3 可拉伸ACEL器件耐久性表征 |
| 3.4 结果与讨论 |
| 3.4.1 可拉伸ACEL器件的结构分析 |
| 3.4.2 发光粉(ZnS:Cu,Mn)的表征 |
| 3.4.3 丝网印刷制备发光层的表征 |
| 3.4.4 介电常数及其弹性体模量的测定 |
| 3.4.5 可拉伸ACEL器件的波形 |
| 3.4.6 发光粉与橡胶比例对器件性能的影响 |
| 3.4.7 发光粉颗粒大小对器件性能的影响 |
| 3.4.8 发光层厚度对器件性能的影响 |
| 3.5 高介电复合材料制备可拉伸发光器件 |
| 3.5.1 可拉伸ACEL器件光学特性及拉伸性能 |
| 3.5.2 可拉伸ACEL器件的耐久性 |
| 3.6 多彩可拉伸ACEL器件性能研究 |
| 3.7 本章总结 |
| 第4章 可拉伸ACEL器件在人体表皮上的应用 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验试剂 |
| 4.2.2 实验仪器 |
| 4.2.3 可穿戴电子器件制备流程 |
| 4.2.4 排线连接件的制备 |
| 4.2.5 表皮粘结剂-硅胶制备 |
| 4.2.6 丝网印刷模板 |
| 4.3 性能展示 |
| 4.4 结果与讨论 |
| 4.4.1 声控驱动器的波形 |
| 4.4.2 器件的机械展示 |
| 4.4.3 可穿戴电致发光器件的展示 |
| 4.5 本章总结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的论文目录 |
| 附录B 控制可拉伸ACEL器件闪烁条数程序 |
（4）液晶显示模组表面空气式静电放电及能量特性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 课题研究背景及现状 |
| 1.3 目的与意义 |
| 1.4 主要工作 |
| 第2章 显示屏的静电放电发生形式与失效机理 |
| 2.1 显示屏的物理结构 |
| 2.2 显示屏的静电放电 |
| 2.2.1 显示模组生产过程中的静电放电 |
| 2.2.2 显示模组使用过程中的静电放电 |
| 2.3 显示屏静电放电失效机理 |
| 2.3.1 显示模组的IC |
| 2.3.2 触摸屏的触摸感应层 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 对地空气式静电放电 |
| 3.1 实验装置与测试方案设计 |
| 3.2 放电电压对空气式ESD的影响 |
| 3.3 接近速度对空气式ESD的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 显示屏空气式静电放电 |
| 4.1 实验装置与测试方案设计 |
| 4.2 放电电压与极性对放电结果的影响 |
| 4.3 接近速度对放电结果的影响 |
| 4.4 不同显示屏的放电结果的差异 |
| 4.4.1 放电电流波形的异同 |
| 4.4.2 表面玻璃厚度对放电结果的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 显示屏表面玻璃位移电流的测量 |
| 5.1 显示屏静电放电发生机制 |
| 5.2 实验装置与测试方案设计 |
| 5.3 表面玻璃空气式静电放电电流 |
| 5.4 位移电流 |
| 5.5 位移电流能量特性 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 本文的工作总结 |
| 6.2 主要结论 |
| 6.2.1 显示屏的静电放电发生形式与失效机理 |
| 6.2.2 对地空气式静电放电 |
| 6.2.3 显示屏的空气式静电放电 |
| 6.2.4 显示屏表面玻璃位移电流的测量 |
| 6.3 创新点 |
| 6.4 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间的发表论文情况 |
（5）倒装焊焊点的可靠性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 电子封装技术的发展 |
| 1.2 倒装焊技术的国内外研究现状 |
| 1.3 倒装焊技术概述 |
| 1.3.1 倒装焊接互连基板的金属焊区制作 |
| 1.3.2 主要的倒装焊工艺方法 |
| 1.3.3 倒装焊接技术的实际应用 |
| 1.4 倒装焊的可靠性问题及研究 |
| 1.4.1 焊料的无铅化 |
| 1.4.2 倒装焊焊点的可靠性 |
| 第2章 热超声倒装键合实验 |
| 2.1 热超声倒装键合技术 |
| 2.2 热超声倒装键合实验台结构 |
| 2.3 热超声倒装实验条件 |
| 2.4 热超声倒装键合实验过程 |
| 2.4.1 芯片制备过程 |
| 2.4.2 热超声工艺参数测试实验 |
| 2.4.3 实验结果 |
| 2.5 实验结论 |
| 第3章 有限元方法的应用 |
| 3.1 有限元数值模拟 |
| 3.1.1 有限单元法 |
| 3.1.2 通用有限元软件ANSYS |
| 3.2 焊点材料本构模型 |
| 3.3 SnAg焊料Anand粘塑性本构模型 |
| 第4章 倒装焊焊点的应力应变有限元仿真 |
| 4.1 焊点的ANSYS建模分析 |
| 4.1.1 焊点有限元模型基本参数的确定 |
| 4.1.2 焊点模型应力应变分析 |
| 4.1.3 焊点在整个热循环阶段应力应变分析 |
| 4.2 倒装焊焊点的热疲劳失效 |
| 4.2.1 焊点寿命预测 |
| 4.2.2 焊点形态对焊点热疲劳失效的影响 |
| 第5章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 申请学位期间的研究成果及发表的学术论文 |
（6）电解再生酸性氯化铜蚀刻液中试及石墨毡阳极粘接的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 文献综述 |
| 1.1 PCB概述 |
| 1.1.1 PCB的发展 |
| 1.1.2 PCB的制作工艺 |
| 1.1.3 PCB蚀刻液 |
| 1.2 化学法再生酸性氯化铜蚀刻液与铜回收方法 |
| 1.2.1 化学法再生酸性氯化铜蚀刻液 |
| 1.2.2 末端治理酸性氯化铜蚀刻废液中的铜 |
| 1.3 电解再生酸性氯化铜蚀刻液与铜回收方法 |
| 1.3.1 常规电解法 |
| 1.3.2 隔膜电解法 |
| 1.3.3 离子膜电解法 |
| 1.4 电解再生装置的阳极材料与阳极修饰 |
| 1.5 石墨毡阳极与导电集流体的连接方式 |
| 1.6 本文主要工作 |
| 第2章 酸性氯化铜蚀刻液电解再生与铜回收 |
| 2.1 实验试剂与仪器 |
| 2.2 实验测试分析方法 |
| 2.2.1 滴定法测定一价铜离子浓度 |
| 2.2.2 在线监测一价铜离子浓度 |
| 2.2.3 二价铜离子的检测 |
| 2.2.4 电流效率计算 |
| 2.2.5 蚀刻液的静态蚀刻速度测量 |
| 2.2.6 回收金属铜纯度 |
| 2.2.7 盐酸含量测定 |
| 2.3 电解实验流程 |
| 2.4 试验装置布局 |
| 2.5 中试装置电解再生实验操作方法 |
| 2.6 结果与讨论 |
| 2.6.1中试装置电解再生实验 |
| 2.6.2中试装置电解再生改进实验 |
| 2.7 本章小结 |
| 第3章 石墨毡阳极与集流体的接触与粘接 |
| 3.1 实验试剂与仪器 |
| 3.2 石墨毡改性 |
| 3.2.1 聚苯胺修饰石墨毡的制备 |
| 3.2.2 石墨毡电极接触角实验 |
| 3.2.3 石墨毡电极电化学表征 |
| 3.3 石墨毡电极与集流体的粘接实验 |
| 3.4 接触电阻测试 |
| 3.5 拉伸剪切强度试验 |
| 3.6 制备条件对表面接触电阻和粘结强度的影响 |
| 3.6.1 导电胶配比 |
| 3.6.2 涂胶量的影响 |
| 3.6.3 固化压力的影响 |
| 3.7 无胶试样与施胶试样的干、湿接触电阻比较 |
| 3.8 电解再生实验 |
| 3.9 本章小结 |
| 第4章 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（7）基于β-Ga2O3与石墨烯构成的新型日盲紫外光电探测器的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.1.1 日盲紫外光的简介 |
| 1.1.2 日盲紫外光的探测 |
| 1.2 宽禁带半导体Ga_2O_3的简介 |
| 1.2.1 Ga_2O_3基本结构及其薄膜制备方法 |
| 1.2.2 Ga_2O_3的应用前景 |
| 1.3 日盲紫外光电探测器的简介 |
| 1.3.1 日盲紫外光电探测器的工作原理 |
| 1.3.2 日盲紫外光电探测器的结构类型 |
| 1.4 日盲紫外光探测器的应用 |
| 1.4.1 日盲紫外光探测器的军事应用 |
| 1.4.2 日盲紫外光探测器的民事应用 |
| 1.5 日盲紫外光探测器的国内外研究现状 |
| 1.6 本课题研究背景、意义和目的 |
| 第二章 高质量多层石墨烯的制备以及相关表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 石墨烯的常见制备方法简介 |
| 2.3 实验所用药品及设备简介 |
| 2.3.1 实验所用药品 |
| 2.3.2 实验所用设备 |
| 2.4 石墨烯的制备及转移 |
| 2.4.1 石墨烯的制备方法 |
| 2.4.2 石墨烯湿法转移基本方法 |
| 2.4.3 石墨烯的转移方法研究以及改善 |
| 2.5 石墨烯和β-Ga_2O_3的表征 |
| 2.5.1 石墨烯的SEM分析 |
| 2.5.2 石墨烯的AFM分析 |
| 2.5.3 石墨烯和β-Ga_2O_3单晶片的拉曼分析 |
| 第三章 石墨烯/β-Ga_2O_3新型日盲紫外光探测器的制备及其光电性能分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 石墨烯/β-Ga_2O_3构成的日盲紫外探测器件的制备 |
| 3.3 器件的光电性能探究 |
| 3.3.1 器件的光电参数的测试及分析 |
| 3.3.2 器件的光谱选择性能研究及机理总结 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 全文总结及展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 |
（8）电化学法再生印刷电路板蚀刻液及石墨毡阳极改性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 PCB的发展及PCB的蚀刻加工工艺 |
| 1.1.1 PCB的发展 |
| 1.1.2 PCB的加工流程 |
| 1.1.3 PCB蚀刻液 |
| 1.2 化学法再生酸性氯化铜蚀刻液和末端处理中铜回收方法 |
| 1.2.1 化学法再生酸性氯化铜蚀刻液 |
| 1.2.2 蚀刻液末端处理中铜回收方法 |
| 1.3 电化学法再生酸性氯化铜蚀刻液与铜回收 |
| 1.3.1 常规电解法 |
| 1.3.2 隔膜电解法 |
| 1.3.3 离子膜电解法 |
| 1.3.4 酸性氯化铜蚀刻液电解再生的工业应用 |
| 1.4 电化学法再生酸性氯化铜蚀刻液阳极材料的研究现状 |
| 1.5 石墨毡电极的改性研究 |
| 1.5.1 石墨毡碳纤维表面引入杂原子 |
| 1.5.2 石墨毡的KOH活化 |
| 1.5.3 碳纳米管修饰石墨毡 |
| 1.6 本文主要工作 |
| 第二章 酸性氯化铜蚀刻液电化学原位再生与铜回收 |
| 2.1 实验试剂与材料 |
| 2.2 实验仪器 |
| 2.3 铜离子浓度检测 |
| 2.3.1 氧化还原滴定法检测Cu(I)浓度 |
| 2.3.2 紫外可见分光光度法检测Cu(II)浓度 |
| 2.4 石墨毡电极电化学性能测试 |
| 2.5 电解再生实验 |
| 2.5.1 电流效率和流速计算 |
| 2.5.2 电解再生装置及操作方法 |
| 2.5.3 电解实验结果 |
| 2.6 电解池阴极室流道结构对阴极沉积铜形貌的影响 |
| 2.7 再生蚀刻液性能评价 |
| 2.8 本章小节 |
| 第三章 石墨毡阳极改性研究 |
| 3.1 实验试剂与仪器 |
| 3.2 石墨毡电极KOH活化研究 |
| 3.2.1 KOH活化石墨毡的制备 |
| 3.2.2 KOH活化石墨毡的表征 |
| 3.2.3 KOH活化石墨毡电极的电化学性能 |
| 3.2.4 KOH活化石墨毡电极酸性蚀刻液电解回收效果 |
| 3.3 碳纳米管修饰石墨毡电极研究 |
| 3.3.1 CVD法在石墨毡表面生长CNT |
| 3.3.2 CNT-T/GF的表征 |
| 3.3.3 CNT-T/GF电极的电化学性能 |
| 3.3.4 CNT-1100/GF电极酸性蚀刻液电解回收效果 |
| 3.4 两种改性石墨毡电极酸性蚀刻液电解回收效果比较 |
| 3.5 本章小节 |
| 第四章 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（9）导电碳膜的静电自组装制备及其直接电沉积铜研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 |
| 1.2 印刷电路板互联技术的发展概述 |
| 1.2.1 印刷电路板的历史和发展 |
| 1.2.2 层内布线技术的研究和应用现状 |
| 1.2.3 孔金属化技术的研究和应用现状 |
| 1.3 自组装技术概述 |
| 1.3.1 自组装定义和发现 |
| 1.3.2 自组装方法分类 |
| 1.4 PCB电沉积铜技术概述 |
| 1.4.1 电沉积铜的分类 |
| 1.4.2 PCB酸性电沉积铜的发展 |
| 1.4.3 PCB酸性电沉积铜的研究现状 |
| 1.5 直接电沉积的研究与应用现状 |
| 1.5.1 直接电沉积的产生与分类 |
| 1.5.2 碳膜直接电沉积的应用进展 |
| 1.5.3 碳膜直接电沉积的研究现状 |
| 1.6 本文的主要研究内容 |
| 第2章 实验材料及研究方法 |
| 2.1 实验材料及主要仪器 |
| 2.2 自组装膜制备及电沉积铜溶液配制 |
| 2.2.1 预处理液和碳分散液的制备 |
| 2.2.2 自组装碳膜的制备流程 |
| 2.2.3 电沉积铜溶液的配制 |
| 2.3 实验中的电化学测试方法 |
| 2.3.1 阴极极化曲线法 |
| 2.3.2 计时电位曲线法 |
| 2.3.3 电化学阻抗谱法 |
| 2.3.4 循环伏安曲线法 |
| 2.3.5 微分电容曲线法 |
| 2.3.6 电化学石英晶体微天平 |
| 2.4 处理液和自组装膜层性质的表征 |
| 2.4.1 处理液分散性表征 |
| 2.4.2 膜层的表面形貌及界面性质 |
| 2.4.3 表面官能团和元素分析 |
| 2.4.4 膜电阻测量 |
| 2.5 自组装过程的分子动力学模拟 |
| 第3章 静电自组装制备碳黑导电膜的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 碳黑在水溶液中分散稳定性的研究 |
| 3.2.1 碳黑分散剂的筛选 |
| 3.2.2 表面活性剂在碳黑表面吸附的模拟研究 |
| 3.2.3 表面活性剂TX-10阴离子改性对碳黑分散的影响 |
| 3.2.4 分散工艺对碳黑溶液分散的影响 |
| 3.3 预处理工艺的研究 |
| 3.3.1 预处理对表面润湿性的影响 |
| 3.3.2 预处理对碳黑膜作用的研究 |
| 3.4 自组装制备碳黑膜的影响因素 |
| 3.4.1 自组装碳黑膜的紫外-可见光谱 |
| 3.4.2 预处理和分散剂对自组装碳黑膜的影响 |
| 3.4.3 阳离子聚丙烯酰胺浓度和阳离子度对自组装碳黑膜的影响 |
| 3.4.4 分散剂比例对自组装碳黑膜的影响 |
| 3.4.5 碳黑含量对稳定性和膜层电阻的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 自组装碳黑膜直接电沉积工艺的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 导电碳黑膜直接电沉积铜的研究 |
| 4.2.1 碳膜直接电沉积的实现 |
| 4.2.2 导电碳黑膜上阴极反应的研究 |
| 4.2.3 分散剂对碳膜阴极反应影响的研究 |
| 4.2.4 TXP-10在导电碳黑膜中的吸脱附特性 |
| 4.3 镀铜添加剂对碳黑膜阴极反应的影响 |
| 4.3.1 基础镀铜液中碳黑膜的阴极反应 |
| 4.3.2 抑制剂对碳黑膜镀铜计时电位曲线的影响 |
| 4.3.3 抑制剂对碳黑及铜上铜沉积电位的影响 |
| 4.3.4 健那绿B对碳黑及铜上铜沉积电位的影响 |
| 4.3.5 优化的镀液中碳黑膜上镀铜的研究 |
| 4.4 氧化碳黑直接电沉积铜的研究 |
| 4.4.1 TXP-10在氧化碳黑膜中的吸脱附特性 |
| 4.4.2 TXP-10在不同碳黑表面的吸附作用模拟 |
| 4.4.3 TXP-10对氧化碳黑膜阴极反应影响 |
| 4.5 自组装碳黑膜用于印刷电路板直接电沉积研究 |
| 4.5.1 自组装碳黑膜电沉积铜效果 |
| 4.5.2 自组装碳黑在孔内成膜的研究 |
| 4.5.3 自组装碳黑在孔内直接沉积铜的效果 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 自组装石墨烯膜直接电沉积及其自组装反应历程的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 自组装氧化石墨烯的吸附规律 |
| 5.2.1 p H值对氧化石墨烯分散的影响 |
| 5.2.2 氧化石墨烯层层自组装规律 |
| 5.2.3 氧化石墨烯自组装膜的形貌 |
| 5.3 自组装氧化石墨烯膜的在线还原 |
| 5.3.1 自组装氧化石墨烯膜的电化学还原 |
| 5.3.2 自组装氧化石墨烯膜的化学还原 |
| 5.3.3 电化学和化学还原自组装膜的比较 |
| 5.4 还原氧化石墨烯层直接电沉积铜 |
| 5.5 氧化石墨烯自组装机理的研究 |
| 5.5.1 氧化石墨烯与阳离子聚丙烯酰胺的作用 |
| 5.5.2 氧化石墨烯与阳离子聚丙烯酰胺静电作用 |
| 5.5.3 氧化石墨烯与阳离子聚丙烯酰胺的氢键作用 |
| 5.5.4 氧化石墨烯与阳离子聚丙烯酰胺相互作用的模拟 |
| 5.5.5 氧化石墨烯与阳离子聚丙烯酰胺自组装反应历程 |
| 5.6 本章小结 |
| 结论 |
| 论文创新点 |
| 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及其他成果 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（10）酸性氯化铜蚀刻废液再生处理的试验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1. 绪论 |
| 1.1 PCB 蚀刻工艺概述 |
| 1.1.1 PCB 蚀刻工艺流程及蚀刻废液的来源 |
| 1.1.2 PCB 蚀刻液的分类 |
| 1.2 酸性氯化铜蚀刻液的再生及回收铜的方法 |
| 1.2.1 化学氧化再生法 |
| 1.2.2 电化学再生法 |
| 1.2.3 溶剂萃取法 |
| 1.3 支撑液膜分离技术概述 |
| 1.3.1 支撑液膜技术的分离机理 |
| 1.3.2 普通中空纤维支撑液膜技术处理含铜废水的研究现状 |
| 1.3.3 中空纤维更新液膜的研究现状 |
| 1.4 本课题研究意义、内容及创新点 |
| 1.4.1 研究背景及意义 |
| 1.4.2 研究内容及方法 |
| 1.4.3 创新点 |
| 1.5 技术路线 |
| 2. 试验准备部分 |
| 2.1 试验原料及试剂 |
| 2.1.1 试验原料 |
| 2.1.2 试验相关试剂 |
| 2.2 试验仪器及装置 |
| 2.3 试验分析检测方法 |
| 2.3.1 铜离子的测定方法（EDTA 法） |
| 2.3.2 亚铜离子的测定方法（铈量法） |
| 2.3.3 氯离子的测定方法（硝酸银滴定法） |
| 2.3.4 pH 的测定方法 |
| 2.3.5 支撑液膜数据处理方法 |
| 2.3.6 蚀刻速率的测定方法 |
| 3. 溶剂萃取法分离 Cu~+的试验研究 |
| 3.1 萃取剂及稀释剂的筛选 |
| 3.1.1 Cu~+萃取剂的筛选 |
| 3.1.2 稀释剂的筛选 |
| 3.2 萃取试验工艺参数优化 |
| 3.2.1 TBP 含量对 Cu~+萃取效率的影响 |
| 3.2.2 油水比（O/A）对 Cu~+萃取效率的影响 |
| 3.2.3 萃取时间对 Cu~+萃取效率的影响 |
| 3.2.4 HCl 浓度对 Cu~+萃取效率的影响 |
| 3.2.5 Cl-浓度对 Cu~+萃取效率的影响 |
| 3.2.6 最优萃取工艺参数条件下 TBP 对 Cu~+的萃取效率 |
| 3.3 萃取有机相中萃合物组成分析 |
| 3.3.1 紫外光谱分析 |
| 3.3.2 化学分析法 |
| 3.3.3 斜率法 |
| 3.3.4 红外光谱分析 |
| 3.4 反萃取剂的筛选 |
| 3.5 反萃试验工艺参数优化 |
| 3.5.1 反萃时间对反萃效率的影响 |
| 3.5.2 H_2O_2浓度对反萃效率的影响 |
| 3.5.3 油水比(O/A)对反萃效率的影响 |
| 3.5.4 最优反萃取工艺参数条件下 H_2O_2对 Cu 的反萃取效率 |
| 3.6 反萃萃合物组成分析 |
| 3.7 本章小结 |
| 4. 反萃相预分散中空纤维支撑液膜(HFSLM)技术处理酸性氯化铜蚀刻废液的试验研究 |
| 4.1 HFSLM 装置及流程 |
| 4.2 HFSLM 处理酸性氯化铜蚀刻废液的传质性能研究 |
| 4.2.1 TBP 含量对 HFSLM 处理酸性氯化铜蚀刻废液的影响 |
| 4.2.2 水相流速对 HFSLM 处理酸性氯化铜蚀刻废液的影响 |
| 4.2.3 反萃相 H_2O_2浓度对 HFSLM 处理酸性氯化铜蚀刻废液的影响 |
| 4.3 HFSLM 稳定性探讨 |
| 4.4 本章小结 |
| 5. HFSLM 传质模型研究 |
| 5.1 Cu~+在 HFSLM 中的传质推动力分析 |
| 5.2 Cu~+在 HFSLM 中的传质过程 |
| 5.3 模型参数的计算 |
| 5.4 本章小结 |
| 6. 再生蚀刻液模拟蚀刻试验 |
| 6.1 有效离子浓度的对比 |
| 6.2 模拟蚀刻试验装置 |
| 6.3 本章小结 |
| 7. 结论与展望 |
| 7.1 本文结论 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
四、自制精细的PCB印刷板（论文参考文献）
- [1]湍流测仪器的关键技术研究[D]. 郝聪聪. 中北大学, 2021(01)
- [2]纳米纤维素/聚酰亚胺复合材料的制备及其在柔性电子中的应用[D]. 陈琳琳. 华南理工大学, 2020(02)
- [3]基于银纳米线电极的可拉伸交流电致发光器件研究[D]. 赵超山. 兰州理工大学, 2020(12)
- [4]液晶显示模组表面空气式静电放电及能量特性研究[D]. 刘鹏宇. 武汉理工大学, 2019(07)
- [5]倒装焊焊点的可靠性研究[D]. 罗威. 桂林理工大学, 2018(05)
- [6]电解再生酸性氯化铜蚀刻液中试及石墨毡阳极粘接的研究[D]. 刘梦真. 天津大学, 2018(07)
- [7]基于β-Ga2O3与石墨烯构成的新型日盲紫外光电探测器的研究[D]. 孔维玉. 合肥工业大学, 2018(02)
- [8]电化学法再生印刷电路板蚀刻液及石墨毡阳极改性研究[D]. 王春振. 天津大学, 2016(03)
- [9]导电碳膜的静电自组装制备及其直接电沉积铜研究[D]. 遇世友. 哈尔滨工业大学, 2015(02)
- [10]酸性氯化铜蚀刻废液再生处理的试验研究[D]. 枚芳. 暨南大学, 2013(01)